三星：3nm 代工市場 2026 年將達 242 億美元規(guī)模

12 月 11 日消息，三星電子 Foundry 代工部門高級研究員樸炳宰本周四在“2022 年半導(dǎo)體 EUV 全球生態(tài)系統(tǒng)會議”上發(fā)表了演講。

他表示，到 2026 年，全球 3 納米工藝節(jié)點代工市場將達到 242 億美元規(guī)模，較今年的 12 億美元增長將超 20 倍。

目前，三星電子是唯一一家宣布成功量產(chǎn) 3 納米芯片的公司，隨著三星電子、臺積電、英特爾等半導(dǎo)體大廠開始引進 EUV 設(shè)備，工藝技術(shù)不斷發(fā)展，預(yù)計 3 納米工藝將成為關(guān)鍵競爭節(jié)點。

根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，截至今年年底，在晶圓代工市場中占據(jù)最大份額的是 5 納米和 7 納米工藝，市場規(guī)模 369 億美元，未來其份額將逐步由 3 納米所取代。他表示，“隨著 14 納米 FinFET 工藝的推出，三星電子已經(jīng)上升到代工市場的第二位。”

據(jù)稱，3 納米節(jié)點需要新的器件結(jié)構(gòu)以提升性能，率先實現(xiàn)量產(chǎn) 3nm 工藝的三星使用了環(huán)柵（GAA）晶體管結(jié)構(gòu)的 MBCFET 技術(shù)，較 FinFET 性能功耗有明顯改善。

“就 FinFET 而言，性能隨著引腳數(shù)量的增加而提高，但功耗的增加超出了性能的提高幅度”，他表示，“另一方面，MBCFET 的效率要高得多，因為它們在相似的水平上提高了性能和功率?！?/span>

具體來說，在 FinFET 技術(shù)中性能提升 1.3 倍但功耗也會隨著上漲2.2 倍，而在 MBCFET 中，性能提高 1.7 倍時，功耗只會增加 1.6 倍，相對來說效率更高。