半導(dǎo)體廠倚重EUV 先進(jìn)微影技術(shù)的強(qiáng)勁需求

微影設(shè)備業(yè)者ASML第一季已完成136臺(tái)極紫外光（EUV）曝光機(jī)出貨，累計(jì)超過7,000萬片晶圓完成EUV曝光。隨著EUV微影技術(shù)推進(jìn)，預(yù)期2025年之后新一代EUV曝光機(jī)每小時(shí)曝光產(chǎn)量可達(dá)220片以上，以因應(yīng)客戶端先進(jìn)制程推進(jìn)至埃米（Angstrom）世代對(duì)先進(jìn)微影技術(shù)的強(qiáng)勁需求。

雖然2023年半導(dǎo)體市況能見度低且不確定性高，但包括臺(tái)積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等全球前五大半導(dǎo)體廠仍積極投資EUV產(chǎn)能，加上制程推進(jìn)會(huì)帶動(dòng)光罩層數(shù)增加，法人樂觀看好家登、帆宣、公準(zhǔn)、意德士（等EUV概念股明年?duì)I運(yùn)將優(yōu)于今年。

ASML日前說明EUV技術(shù)及曝光機(jī)技術(shù)藍(lán)圖，以目前主流的0.33數(shù)值孔徑（NA）來說，2021年晶圓代工5奈米制程每片晶圓平均光罩層約逾10層，但2023年制程進(jìn)入3奈米之后，每片晶圓平均光罩層約將倍增達(dá)20層。

DRAM制程目前采用EUV技術(shù)完成約5層光罩層量產(chǎn)，但明年后將提升至8層光罩層，部分制程將會(huì)采用多層曝光（multi-patterning）而達(dá)每片晶圓10層光罩層。

過去幾年包括晶圓代工廠及DRAM廠擴(kuò)大資本支出建置EUV產(chǎn)能，ASML統(tǒng)計(jì)至今年第一季已完成136臺(tái)EUV曝光機(jī)出貨，累計(jì)采用EUV曝光的晶圓已超過7,000萬片。

現(xiàn)階段最新曝光機(jī)NXE：3600D的系統(tǒng)妥善率（availability）已優(yōu)于前一代機(jī)型約達(dá)93％，并接近技術(shù)成熟的深紫外光（EUV）機(jī)型的95％。

在每平方公分30毫焦耳（mJ）的光源輻照能量情況下，NXE: 3600D每小時(shí)晶圓產(chǎn)出已達(dá)160片，較上一代機(jī)型提升18％。預(yù)計(jì)明年下半年推出的NXE: 3800E預(yù)計(jì)每小時(shí)晶圓產(chǎn)出可提升到195片以上，并有機(jī)會(huì)升級(jí)到接近220片，ASML亦說明將于2025年推出NXE：4000F新機(jī)型且每小時(shí)晶圓產(chǎn)出會(huì)大于220片，目標(biāo)是再提升至240片。

雖然半導(dǎo)體市場進(jìn)入庫存去化階段，但先進(jìn)制程需求續(xù)強(qiáng)，臺(tái)積電及三星將會(huì)在明年擴(kuò)大3奈米EUV產(chǎn)能，英特爾今年底亦量產(chǎn)首款采用EUV技術(shù)的4奈米Intel 4制程。