“新基建”或將成為疫后重建最大動力，半導體產業(yè)迎來新機遇（下）

如果我們把前互聯網時代稱之為互聯網時代的話，那么當前則從以軟件服務為核心的互聯網時代向以硬件服務為核心的工業(yè)互聯網、物聯網時代轉變。特別是在疫情期間14億人宅在家的流量井噴讓我們所有人都意識到了通信網絡、數據中心的重要意義。

在當前的節(jié)點之上，幾乎上至國家，下至企業(yè)，所有人都認識到了硬科技生態(tài)體系對于中國經濟的重要意義，這也是為什么國家提出了新基建，而資本市場也把所有的目光都聚焦到了新基建上面的根本原因。

從中長期看， 中國企業(yè)上“云”、數字化的趨勢不可逆轉，經過此次疫情，預計進度還將加快，數字經濟的趨勢已經勢不可擋，在這個時候其實對于數字經濟的基礎設施要求反而更高。

截至3月1日，包括北京、上海、江蘇、福建、河南、重慶等在內的 13 個省市區(qū)發(fā)布了 2020 年重點項目投資計劃清單，包括 10326 個項目，其中 8 個省份公布了計劃總投資額，共計 33.83 萬億元。如此高的新基建投入，讓所有人不得不相信，這個大風口正在全面到來。

5G、大數據中心、人工智能、工業(yè)互聯網等多個領域加速崛起，為半導體行業(yè)帶來了新的增長動力。

“新基建”助力第三代半導體發(fā)展

以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料，具有禁帶寬、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強等優(yōu)點。以第三代半導體材料為基礎制備的電子器件是支撐“新基建”5G基建、特高壓、城際高速鐵路和城際軌道交通、新能源汽車充電樁等領域的關鍵核心器件。

隨著“新基建”政策的進一步推進，以碳化硅和氮化鎵為核心的第三代半導體必然會是受益者。貫穿于“新基建”中的第三代半導體產品包括：

?以碳化硅以及IGBT為核心的功率半導體：主要支撐了新能源汽車、充電樁、基站/數據中心電源、特高壓以及軌道交通系統；SiC基SBD、MOSFET及GaN基HEMT功率器件是特高壓輸電、軌道交通和新能源汽車的核心器件。

?以氮化鎵為核心的射頻半導體：主要支撐的是5G基站以及工業(yè)互聯網系統建設；GaN基射頻器件是5G基站核心器件之一， GaN基LED可見光通信是5G 通信的重要組成部分，5G基建將直接促進Mini/Micro-LED 4K/8K高清顯示及VR/AR等數據高容量存儲、大流量傳輸和快速度響應有強烈需求的相關產業(yè)的發(fā)展。

?以AI芯片為核心的SOC芯片、人工智能芯片：主要支撐的是數據中心、人工智能系統建設；在人工智能、工業(yè)互聯網應用中，基于第三代半導體的傳感器產品在市場上還相對較少，這些產品目前仍處于實驗室研發(fā)階段。

目前碳化硅和氮化鎵發(fā)展的比較成熟，所以，其生產成本也在不斷的降低，此后，它將會憑借著自身出色的性能突破硅基材料的瓶頸，從而有望引領新一輪的產業(yè)革命。而憑借著“新基建”政策，我國第三代半導體技術發(fā)展也將得到保證，這樣在全球化市場上，也會有一席之地。

另外，以上是從“新基建”的角度說寬禁帶/第三代半導體，實際上寬禁帶/第三代半導體的核心應用還有在光電領域，比如2014年獲得諾貝爾獎的中村修二就是做氮化鎵藍光器件。

產業(yè)界的布局實際上比較早，比如以下幾個廠商：

?小米是全球氮化鎵功率器件領導生產商Navitas的股東，拆解小米氮化鎵充電器，其中NV6115_NV6117器件應用其中。

?華為參股了山東天岳，天岳作為中國為數不多的碳化硅襯底企業(yè)，碳化硅對于功率和射頻的重要意義不言而喻。

?2016年，大陸收購AIXTRON被否，然后中微半導體熱炒的原因，都是與第三代半導體有關。

?疫情以來，紫外LED消毒技術也將氮化鎵推上一個風口，可以看看中科院半導體所在山西的公司布局。

面上是大家看到的，面下是以碳化硅與氮化鎵為核心的第三代半導體的暗潮洶涌。在這一輪“新基建”的催化下，資本的嗅覺已經開始發(fā)動。

“新基建”釋放新動能 國產芯片趁勢崛起

2020年，國產替代還將會是國內半導體產業(yè)發(fā)展的主線，在國家政策的扶持下，國產存儲產業(yè)正在加速突圍，積極打造完整的芯片代工、封裝、測試以及配套設備和材料等產業(yè)鏈的協同發(fā)展格局，實現關鍵裝備、材料的全面國產化。

與此同時，“新基建”的航行恰逢國產替代正成為國內半導體業(yè)發(fā)展的主線，兩者交匯將會釋放新動能。在“新基建”動能的釋放下，芯片產業(yè)將迎發(fā)展“春天”，有望引導我國半導體產業(yè)進入新一輪發(fā)展周期。

新基建大量新增的需求，諸多重點建設項目將尋求經濟轉型、數字化轉型、節(jié)能環(huán)保轉型，進行顛覆式行業(yè)創(chuàng)新。這會為國內半導體業(yè)發(fā)展帶來新的機遇，特別是在國產替代方面也留足了充分的發(fā)展空間。同時，通過參與新基建建設，國內廠商也得以掌握核心技術，進入供應鏈的核心環(huán)節(jié)，加速實現國產化替代。

目前，我國已有四條4/6英寸SiC生產/中試線和三條GaN生產/中試線相繼投入使用，并在建多個與第三代半導體相關的研發(fā)中試平臺。國產化的單晶襯底、外延片所占市場份額不斷擴大，國產化的SiC二極管和MOSFET開始進入市場。

不過，在頭部廠商取得成績的背后，我國整體實力和產業(yè)化能力的提升，還有待進一步加強。國內半導體廠商在處理器、傳感器、微控制器、通信芯片和功率半導體等核心器件方面仍主要集中在中低端市場，模擬芯片方面幾乎被國際巨頭壟斷，這是既須正視的現實，也是努力的方向。

除了海思、紫光展銳、中星微這些資深玩家，造芯新勢力也在迅速崛起，甚至不乏阿里、百度、格力、比亞迪這樣的跨界選手。相信隨著國內互聯網巨頭進軍芯片產業(yè)，國產自研芯片熱潮已經到來，中國芯正在崛起。

綜合來看，擺脫國外依賴，掌握核心技術已經成為共識，國產芯片的加速發(fā)展，使我國逐漸掌握半導體領域的核心話語權，然而在中高端領域的發(fā)力，才是國內半導體產業(yè)發(fā)展的重要角力點，讓我們拭目以待。

“新基建”中半導體產業(yè)發(fā)展需要注意的問題

新基建領域涉及的半導體領域眾多，反映國家對半導體業(yè)的重視，從立意上一定要攻克難關，但目前困難仍然重重，主要是缺領軍人才和先進制程技術，包括前后道、設計及設備與材料，以及外部的一些阻力等。

目前，最大的問題在于如何推進市場化，這樣才能避免出現許多地方政府雷同的項目上馬，缺乏可行性分析，導致同質化厲害，力量難以集中。如果能集中力量辦大事，將會取得更為扎實的進步。

半導體業(yè)已經是一個成熟行業(yè)，屬于高資本長周期，并要不斷地迭代，其實是很辛苦的行業(yè)。刺激性的政策最大的問題就是它會促進需求形成一個波峰，但在波峰之后就會迎來一個波谷，導致產能過剩，心態(tài)能否及時調整、風險能否擔當都要加以考量。

雖然新基建的更新換代將拉動半導體產業(yè)的發(fā)展，但理想與現實總有“差距”：國內具備創(chuàng)新性并實現盈利的IC設計公司仍然較少，晶圓制造和封測產能仍有較大的缺口，特別是在先進工藝、先進材料和關鍵產能等方面還較多依賴于國外。

在國產替代和新基建的背景下，還應著力尋求技術突破、產能擴充和加強人才培養(yǎng)。同時，防止結構性產能過剩也要注重產品類型的全面布局和長期發(fā)展，避免扎堆于單一的短平快的中低端產品及市場，造成惡性競爭。

政府政策的驅動難以是普惠型的，國家對新基建項目雖然都會加大投入力度，但如何投入還沒有細化。以往的基建基本上都以國有企業(yè)為主導，效果也是立竿見影的。但新基建等行業(yè)上游涉及大量的民營企業(yè)，如何銜接還存在諸多障礙。只有充分發(fā)揮“新基建”對七大領域的政策落實，才能讓半導體產業(yè)真正的站在風口上，最后的結果才能事半功倍。