國(guó)產(chǎn)5nm半導(dǎo)體設(shè)備已獲得臺(tái)積電訂單 5nm以下技術(shù)研發(fā)中

除了大家都知道的光刻機(jī),半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)中還需要各種設(shè)備,國(guó)內(nèi)的中微半導(dǎo)體設(shè)備公司已經(jīng)能夠生產(chǎn)高端刻蝕設(shè)備,其5nm刻蝕機(jī)已經(jīng)批量生產(chǎn),用于臺(tái)積電的5nm生產(chǎn)線中。

中微半導(dǎo)體上周末發(fā)布了2019年財(cái)報(bào),全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入19.47億元,同比增長(zhǎng)18.77%;實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1.89億元,同比增長(zhǎng)107.51%。

根據(jù)該公司年報(bào),中微公司開(kāi)發(fā)的高端刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國(guó)際知名客戶(hù)65納米到7納米的芯片生產(chǎn)線上。

同時(shí),公司根據(jù)先進(jìn)集成電路廠商的需求,已開(kāi)發(fā)出5納米刻蝕設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工,并已獲得行業(yè)領(lǐng)先客戶(hù)的批量訂單——雖然中微沒(méi)有明說(shuō),但是這家客戶(hù)就是臺(tái)積電,也只有他們量產(chǎn)了5nm工藝。

目前公司正在配合客戶(hù)需求,開(kāi)發(fā)新一代刻蝕設(shè)備和包括更先進(jìn)大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝,能夠涵蓋5納米以下刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)備。

在3D閃存領(lǐng)域,中微半導(dǎo)體電容性等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于64層的量產(chǎn),同時(shí)根據(jù)存儲(chǔ)器廠商的需求正在開(kāi)發(fā)新一代能夠涵蓋128層關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及相對(duì)應(yīng)的極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝。

此外,中微公司的電感性等離子刻蝕設(shè)備已在多個(gè)邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn)。

根據(jù)客戶(hù)的技術(shù)發(fā)展需求,正在進(jìn)行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā),以滿(mǎn)足7納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求,并進(jìn)行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設(shè)備的研發(fā)。