SEMI：半導(dǎo)體市場(chǎng)明年估成長(zhǎng)5~7% 庫(kù)存調(diào)整年初完成

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）產(chǎn)業(yè)分析總監(jiān)曾瑞榆指出，今年半導(dǎo)體市場(chǎng)面臨庫(kù)存水位較高、需求比原先預(yù)期弱的情況，再加上美中和日韓貿(mào)易戰(zhàn)等三大因素影響，曾瑞榆認(rèn)為，全球半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整需延續(xù)到今年下半年，并預(yù)估明年年初半導(dǎo)體庫(kù)存水位才會(huì)回到正常水準(zhǔn)，他并看好明年半導(dǎo)體市場(chǎng)可望成長(zhǎng)5%至7%。

從應(yīng)用面來(lái)看，曾瑞榆指出，今年整體iPhone出貨應(yīng)不會(huì)超過(guò)去年，另外，受貿(mào)易戰(zhàn)影響，華為為脫離美系供應(yīng)鏈，部分臺(tái)廠在接單上雖有機(jī)會(huì)受惠，不過(guò)華為下半年在部分零組件采購(gòu)上，仍有些風(fēng)險(xiǎn)，仍可能偏向保守。

此外，先前維持缺貨中央處理器（CPU），預(yù)料在今年下半年之后，未來(lái)缺貨狀況可逐步趨緩，今年車用和工業(yè)用需求也不如先前預(yù)期強(qiáng)勁。

再觀察存儲(chǔ)器市場(chǎng)的變化，價(jià)格方面，曾瑞榆預(yù)期，第3季NAND型快閃存儲(chǔ)器和固態(tài)硬碟（SSD）價(jià)格持穩(wěn)，第4季可望出現(xiàn)反彈，預(yù)估明年上半年NAND快閃存儲(chǔ)器投資可望復(fù)甦，不過(guò)DRAM投資要到明年年中之后回溫。

至于今年下半年，目前看來(lái)移動(dòng)存儲(chǔ)器價(jià)格可能持續(xù)下滑，服務(wù)器存儲(chǔ)器看來(lái)下滑趨勢(shì)和緩，客戶端庫(kù)存調(diào)整持穩(wěn)。

此外，在半導(dǎo)體設(shè)備投資來(lái)看，今年以來(lái)統(tǒng)計(jì)到7月底為止，北美和臺(tái)灣是全球二大市場(chǎng)投資金額較去年成長(zhǎng)超過(guò)三成和接近五成，主要是在7納米的先進(jìn)制程投資，其中臺(tái)灣是今年全球最大的設(shè)備投資市場(chǎng)，不過(guò)大陸可能在明年超越位居第一。

展望今年下半年到明年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，曾瑞榆預(yù)期，今年下半年可望逐季或逐月回溫，明年可望回溫5~7%左右，強(qiáng)度要看貿(mào)易戰(zhàn)進(jìn)展和存儲(chǔ)器市況。