國內(nèi)半導(dǎo)體重大突破 7納米時(shí)代已不遠(yuǎn) 支持投資5700億元
在今年的全國電子信息行業(yè)工作座談會(huì)上,公布了去年我國在集成電路產(chǎn)業(yè)的銷售業(yè)績(jī)已經(jīng)攀升到6532億元,這是一個(gè)非??捎^的體量。其中工藝級(jí)別發(fā)展到具備世界先進(jìn)設(shè)計(jì)水平的7納米級(jí)別,而14納米級(jí)的工藝即將投入量產(chǎn),但與國外同期來說仍有兩代差距。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/201905/400309.htm半導(dǎo)體既是一個(gè)技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè),涵蓋了材料學(xué)、物理學(xué)、化學(xué)、自動(dòng)化設(shè)備和機(jī)械、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、微電子、數(shù)學(xué)等系統(tǒng)的理工技術(shù)。同時(shí)也是資金和創(chuàng)意密集型產(chǎn)業(yè),一臺(tái)光刻機(jī)需要1億美元,打一層光掩膜需要1萬美元,而通常一個(gè)芯片30需要層以上;芯片設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì)至少需要10年以上實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn),才能滿足針對(duì)不同市場(chǎng)、不同客戶。相比較臺(tái)積電和韓國三星在7納米級(jí)半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)展開的激烈競(jìng)爭(zhēng)。
中芯國際從28納米走到14納米FinFET技術(shù)是極為不容易的。中芯國際身為國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)制造的領(lǐng)頭羊,因?yàn)槿瞬旁颍沟米陨淼募夹g(shù)工藝停滯了近4年,被前身是華為集成電路設(shè)計(jì)中心的海思半導(dǎo)體反超。去年引進(jìn)了尖端人才,來自三星、臺(tái)積電的前研發(fā)高層梁孟松先生后,取得重大的突破。這次讓國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)跨上一個(gè)新臺(tái)階的14納米FinFET是極其重要的。
全球能夠?qū)嶋H量產(chǎn)FinFET架構(gòu)技術(shù)的半導(dǎo)體企業(yè)巨頭如英特爾、臺(tái)積電、三星,都是憑借該技術(shù)架構(gòu)繼續(xù)延續(xù)摩爾定律的壽命。哪怕是再往前突破進(jìn)入7納米級(jí)別,仍然離不開該技術(shù)。當(dāng)前國際、國內(nèi)的半導(dǎo)體市場(chǎng)前景十分看好,2017年韓國三星和美國蘋果都是全球排名前三的半導(dǎo)體采購商,其中三星和蘋果在電子芯片采購方面的花費(fèi)都在38-43億美元不等。從2017年開始我國的資金和政策開始雙投入支持半導(dǎo)體行業(yè)。
通過對(duì)國內(nèi)晶圓廠的統(tǒng)計(jì)顯示,目前在建廠區(qū)已有15座,合計(jì)投資高達(dá)5700億元,預(yù)計(jì)在2020年左右投產(chǎn)。當(dāng)今社會(huì)的移動(dòng)終端如手機(jī)、電腦的升級(jí)換代加速,也極大刺激了半導(dǎo)體芯片的需求。在巨大的市場(chǎng)需求到退下,中國的半導(dǎo)體科研工藝技術(shù)加速發(fā)展,勢(shì)在必行。在整個(gè)行業(yè)的管理上,資金、設(shè)備、技術(shù)和智力的高度集中,導(dǎo)致內(nèi)部的協(xié)調(diào)管理要求精細(xì)化程度非常高。
失之毫厘差之千里,一個(gè)細(xì)微的錯(cuò)誤,都能夠?qū)е聰?shù)以千萬計(jì)的人力和研發(fā)成本付諸東流。所以中國集成電路和半導(dǎo)體的發(fā)展追趕之路依舊是漫長的,需要我們長期的巨額投入和腳踏實(shí)地的去積累經(jīng)驗(yàn)。
評(píng)論