存儲器行業(yè)的2018：冰與火之歌｜盤點2018

　　存儲器一直被看成是半導體行業(yè)的晴雨表，它的表現(xiàn)也影響著整個市場的枯榮變換。2018年的存儲器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行，伴隨著技術上的幾許亮色，邁向了2019年。

　　從熱火朝天到凜冬將至

　　2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成，西部數(shù)據(jù)的營收更是增長了120.2%，就是以NANDFlash為主要產(chǎn)品的東芝，也成長了29.2%;而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。

　　整體來說，2017年全球半導體市場規(guī)模比2016年成長22.2%，達4197.2億美元。根據(jù)Gartner的分析，存儲器的短缺是市場蓬勃發(fā)展的最主要原因。整整2017年全年，DRAM價格成長高達44%，NANDFlash價格也上漲了17%。尤其是，NANDFlash價格是有統(tǒng)計數(shù)據(jù)以來首次呈現(xiàn)上漲的局面。

　　2018開年以后更是延續(xù)了這種良好的態(tài)勢，數(shù)據(jù)中心、人工智能和汽車電子等應用的成長，使得整個市場持續(xù)增溫。以NANDFlash為代表的閃存市場更是快步前進。美光公司CEO就表示，存儲器市場已出現(xiàn)典范轉(zhuǎn)型，以智能手機為中心的移動時代，逐步轉(zhuǎn)入人工智能等驅(qū)動的數(shù)據(jù)經(jīng)濟時代。數(shù)據(jù)經(jīng)濟需要搭載大量DRAM及NANDFlash協(xié)助運算，存儲器市場可望一路好到2021年。

　　各大存儲器廠商亦紛紛開足馬力，據(jù)福布斯報道，廠商們都在2017年擴大了64層3DNAND存儲器的出貨量，而128層的3DNAND預計在2020年就可問世，2018年3DNAND將恢復供應量成為市場主流。

　　世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)在2018年初的預測報告中，將2018年全球半導體市場規(guī)模(銷售額)自2017年11月預估的4372.65億美元(年增7.0%)修訂至4634.12億美元(年增12.4%)。其中，存儲器的銷售額預估將暴增26.5%至1567.86億美元。

　　就在一片看好的聲音中，一些令人不安的預兆也出現(xiàn)了。部分存儲器價格在2018年初出現(xiàn)下滑，導致三星電子當期的財報預測低于預期。不過，業(yè)界仍認為“這種價格變化在預期之內(nèi)，并且對整體市場發(fā)展有益”。

　　轉(zhuǎn)折卻在無聲中到來了。DRAMeXchange于6月27日發(fā)布了閃存市場分析報告，稱2018下半年，NAND閃存市場的增長潛力疲軟。報告指出，由于處于傳統(tǒng)的淡季和產(chǎn)能拉升期，所以在上半年，閃存市場已經(jīng)有連續(xù)兩個季度的價格走弱。在這樣的態(tài)勢下，一些供應商甚至暫緩了面向更高密度存儲芯片的產(chǎn)能擴張，以避免價格走到崩盤的局面。

　　但到了下半年，市場并沒有好轉(zhuǎn)。在9月6號，摩根斯坦利分析師ShawnKim就指出，內(nèi)存市況近幾周來有惡化跡象，DRAM需求逐漸趨疲，庫存、定價壓力與日俱增，而NAND型閃存的供給則確實太多。另一位分析師也指出，智能手機的購買需求難以提升，NAND型閃存的供給過剩情況最近日益惡化。他估計下半年智能手機的出貨表現(xiàn)將相對疲弱，蘋果與中國智能手機的供應鏈前景都不太妙。后來的市場表現(xiàn)果然應驗了這種預測。目前，對于2019年的市場，各方都認為首季價格跌幅恐持續(xù)擴大，直至第2季中旬才會趨緩。

　　從年初的蓬勃發(fā)展到下半年的寒冬，造成市場反轉(zhuǎn)的元兇是什么?從目前的分析來看，智能手機銷量的增長乏力，中美貿(mào)易戰(zhàn)的陰影，還有產(chǎn)能的盲目擴張都是重要因素。在新的驅(qū)動力沒有充分發(fā)展起來之前，市場恐還會在低位繼續(xù)運行。

　　技術發(fā)展上仍有亮色

　　雖然市場起伏過大，但存儲器的技術發(fā)展仍未停步，特別是閃存技術。

　　今年，閃存開始步入QLC時代。這種變化在手機上體現(xiàn)最為明顯，上半年，NAND原廠的技術主要以量產(chǎn)64層TLC(三比特)為主，下半年部分原廠已經(jīng)轉(zhuǎn)為96層TLC或者64層QLC。

　　QLC閃存每單元可以保存4比特數(shù)據(jù)，相比TLC又多了三分之一，這樣既有利于做大容量，也有利于降低成本，必然是閃存廠商們未來的重點。

　　而在容量上，TB時代也逐步逼近。NAND2D極限容量已從128GB上升到64層512GB，96層會向512GB過渡，技術成熟以后量產(chǎn)到1TB技術。隨著QLC的量產(chǎn)，即使采用64層QLC也可以量產(chǎn)1T容量。

　　值得一提的是，國內(nèi)企業(yè)在閃存技術上也有突破。存儲器新勢力長江存儲公司就在2018年發(fā)布了自主創(chuàng)新的Xtacking架構。該架構可用于消費級/企業(yè)級SSD還有UFS閃存，且實現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3DNAND的上市時間，并使NAND產(chǎn)品定制化成為可能。并且，在一向薄弱的SSD主控芯片領域，國內(nèi)企業(yè)今年也有新品問世。相信在2019年，這種趨勢會延續(xù)下去。

　　2019年，國內(nèi)存儲器領域最大的突破將是自主研發(fā)的閃存量產(chǎn)，這將為整個行業(yè)帶來什么變化，現(xiàn)在仍未可知，但這一定會提升國內(nèi)半導體行業(yè)的士氣，為今后的發(fā)展奠定堅實的一步。