5大跡象顯示內(nèi)存芯片「超級(jí)循環(huán)」將結(jié)束

　　財(cái)經(jīng)部落格《Seeking Alpha》專(zhuān)欄作家指出，在蘋(píng)果下調(diào) iPhoneX 產(chǎn)量，以及大陸半導(dǎo)體公司預(yù)計(jì)在 2019 年將完成內(nèi)存廠設(shè)置，內(nèi)存的供需出現(xiàn)變化，在產(chǎn)能預(yù)期可提升的情況下，全球 DRAM 的平均售價(jià)將降低。

　　《Seeking Alpha》專(zhuān)欄作家 Robert Castellano 表示，有 5 大跡象顯示，內(nèi)存的「超級(jí)循環(huán)」即將結(jié)束。

　　1. 內(nèi)存平均售價(jià)呈現(xiàn)下滑

　　作者根據(jù) Korea Investment & Securities 提供的數(shù)據(jù)，統(tǒng)整 2016 年至 2018 年 NAND 和 DRAM 平均銷(xiāo)售價(jià)格 (ASPs)，數(shù)據(jù)顯示三星電子 SK 海力士的 NAND 和 DRAM 平均銷(xiāo)售 價(jià)格變化，在最近幾季呈現(xiàn)下滑趨勢(shì)。

　　三星 NAND 和 DRAM 平均銷(xiāo)售價(jià)格變化

　　SK 海力士的 NAND 和 DRAM 平均銷(xiāo)售價(jià)格變化

　　2. 大陸發(fā)改委和三星簽署備忘錄

　　大陸國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)與三星電子在芯片合作方面簽署備忘錄，將在芯片生產(chǎn)、人工智能與半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域進(jìn)行潛在的合作，業(yè)界分析，雙方的合作將可能使全球 DRAM 降價(jià)與增產(chǎn)。

　　3. 三星 NAND 閃存擴(kuò)充產(chǎn)能量減少

　　三星電子決定在 2018 年提升內(nèi)存產(chǎn)能，以限制競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的利潤(rùn)成長(zhǎng)，并提高對(duì)潛在中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的進(jìn)入壁壘 (Barriers to entry)。 三星原先預(yù)計(jì)在韓國(guó)平澤的工廠，開(kāi)辟樓層建立新的 NAND 閃存生產(chǎn)線，但在價(jià)格下降后，三星將計(jì)劃改為，在二樓部份區(qū)域建立 DRAM 生產(chǎn)線。

　　DRAMexchange 預(yù)計(jì) 2018 年 DRAM 供給位預(yù)計(jì)成長(zhǎng) 22.5%，高于 2017 年的約 19.5%。 而 2018 年 DRAM 的收入預(yù)計(jì)將成長(zhǎng) 30%，遠(yuǎn)低于 2017 年的 76%營(yíng)收成長(zhǎng)。

　　4. 大陸廠商完成內(nèi)存生產(chǎn)工廠設(shè)置

　　大陸半導(dǎo)體廠商的內(nèi)存工廠，可能最快在 2019 年下旬即可開(kāi)始營(yíng)運(yùn)，位于福建的晉華集成電路公司指出，工程進(jìn)度加快，預(yù)計(jì)在今年 10 月將完成主要工廠的結(jié)構(gòu)建設(shè)，而總部位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司將投資 24 億美元 建設(shè) 3 座大型 3D NAND 閃存制造工廠，一號(hào)工廠預(yù)計(jì)將于 2018 年正式開(kāi)始生產(chǎn)，月產(chǎn)能約為 30 萬(wàn)片晶圓，最后，位于合肥的睿力集成電路公司，購(gòu)買(mǎi)了一批 DRAM 生產(chǎn)器具。

　　此外，蘋(píng)果 (AAPL-US) 正在與長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司接洽，將可能向他們購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存芯片，目前蘋(píng)果的 NAND 閃存供貨商為東芝、威騰電子、三星與 SK 海力士。

　　5. 蘋(píng)果下修 iPhone X 產(chǎn)量達(dá)一半

　　上海研究公司 CINNO 的分析師 Sean Yang 指出，蘋(píng)果為這些芯片的最大消費(fèi)者，2017 年占全球總需求量的 1.6%，約為 1.6 億千兆位組 (gigabytes)。 iPhone X 的產(chǎn)量減少，意味著內(nèi)存芯片的消費(fèi)者減少，將使 NAND 和 DRAM 和平均售價(jià)上升幅度減緩。