國際大廠力量強勢，中國存儲器明年迎 “大戰(zhàn)”

　　兆易創(chuàng)新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團(tuán))有限公司最近簽署《關(guān)于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》，約定雙方在安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)合作開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發(fā)項目，項目預(yù)算約為180億元。此前，業(yè)界一直有兆易創(chuàng)新將與合肥長鑫合作發(fā)展DRAM內(nèi)存芯片的消息傳出。此協(xié)議的簽署表明兆易創(chuàng)新正式加入存儲競爭格局。

　　除兆易創(chuàng)新以及合肥長鑫外，國內(nèi)投入存儲芯片的主要企業(yè)還包括長江存儲和福建晉華，目前三大存儲芯片企業(yè)均在加緊建設(shè)存儲芯片工廠，最快的預(yù)計將于明年下半年開始投產(chǎn)。也就是說，2018年有望成為國產(chǎn)存儲器主流化發(fā)展元年。

　　兆易創(chuàng)新正式入局DRAM內(nèi)存競爭

　　10月31日晚間，兆易創(chuàng)新發(fā)布重大事項停牌公告，稱擬籌劃重大事項，該事項可能涉及發(fā)行股份購買資產(chǎn)。業(yè)界分析此舉或與合肥方面簽署180億元存儲器項目有關(guān)。根據(jù)合作協(xié)議，兆易創(chuàng)新將在合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)內(nèi)開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)的研發(fā)，目標(biāo)是在2018年12月31日前研發(fā)成功，即實現(xiàn)產(chǎn)品良率不低于10%。項目預(yù)算達(dá)180億元，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投將根據(jù)1∶4的比例負(fù)責(zé)籌集，兆易創(chuàng)新負(fù)責(zé)籌集約36億元。

　　當(dāng)前，兆易創(chuàng)新的主導(dǎo)產(chǎn)品為特種存儲器NOR Flash，是全球五大NOR Flash供應(yīng)商之一，同時也供應(yīng)SPI NAND和SLC NAND等。兆易創(chuàng)新一直希望進(jìn)入主流存儲器DRAM內(nèi)存市場。此前，兆易創(chuàng)新曾計劃收購芯成半導(dǎo)體(ISSI)，作為DRAM研發(fā)基地。芯成半導(dǎo)體是國際主要SRAM供應(yīng)商之一，也有部分DRAM產(chǎn)品。該合作案終止后，兆易創(chuàng)新又轉(zhuǎn)而啟動了與合肥的合作研發(fā)計劃。作為合肥發(fā)展存儲器的主要平臺，合肥長鑫計劃投資72億美元建設(shè)存儲芯片工廠，以DRAM存儲芯片為主。

　　目前國內(nèi)主流存儲器芯片的參與者主要有三家，分別是國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和紫光集團(tuán)共同投資的長江存儲、福建晉華和合肥長鑫。長江存儲初期定位于3D NAND生產(chǎn)，后期將進(jìn)行DRAM產(chǎn)品的開發(fā)。9月28日，長江存儲的一號生產(chǎn)及動力廠房實現(xiàn)提前封頂，預(yù)計將于2018年投入使用，項目(一期)達(dá)產(chǎn)后，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。長江存儲CEO楊士寧表示，在武漢將產(chǎn)生距世界前沿最近的中國自主生產(chǎn)的存儲器芯片產(chǎn)品，滿產(chǎn)后能供應(yīng)國內(nèi)存儲芯片需求的50%以上。

　　福建晉華以DRAM存儲芯片為主，投資額達(dá)到370億元，預(yù)計2018年投產(chǎn)。其與中國臺灣地區(qū)主要代工廠之一的聯(lián)電合作，由后者協(xié)助開發(fā)DRAM存儲芯片技術(shù)。日前，聯(lián)電表示將于明年第四季度完成第一階段技術(shù)開發(fā)。

　　國際大廠擴產(chǎn)將形成價格壓力

　　根據(jù)三家存儲廠的規(guī)劃，研發(fā)及投產(chǎn)的時間點大多落在2018年。因此，明年將成為國產(chǎn)存儲器發(fā)展的關(guān)鍵一年。而從市場狀況來看，2017年全球內(nèi)存芯片價格持續(xù)高漲，集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2017年全球內(nèi)存平均銷售單價較去年增長35.2%，全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)營收增長60%～65%。如果這種局面得以延續(xù)，對新投入存儲市場的中國企業(yè)來說將是一大利好，對開局是一個有利條件。

　　然而，日前有消息稱，三星等國際存儲器大廠已有2018年擴產(chǎn)的計劃。集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)研究協(xié)理吳雅婷指出，以主流標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存模組(DDR4 4GB)合約價為例，從去年中開始起漲，由當(dāng)時的13美元均價拉升至今年第四季度合約價30.5美元，報價連續(xù)6個季度增長，合計漲幅超過130%，帶動相關(guān)DRAM大廠獲利能力大幅提升。在連續(xù)數(shù)季內(nèi)存價格上升的帶動下，SK海力士、美光皆累積許多現(xiàn)金在手。有了豐沛的資源，SK海力士將在年底展開18nm制程，無錫二廠也將在明年興建，預(yù)計2019年產(chǎn)出;美光借著股價水漲船高之際宣布現(xiàn)金增資，代表未來在蓋新廠、擴張產(chǎn)能與制程升級上做好了準(zhǔn)備;三星也有意將其平澤廠二樓原定興建NAND的產(chǎn)線，部分轉(zhuǎn)往生產(chǎn)DRAM，并全數(shù)采用18nm制程，加上原有Line17還有部分空間可以擴產(chǎn)，預(yù)計三星此舉最多將2018年DRAM產(chǎn)出量提升80K~100K晶圓，帶動三星明年產(chǎn)出供給量由原本預(yù)估的增長18%上升至23%。

　　三星等國際大廠的擴產(chǎn)勢必壓抑內(nèi)存價格上漲幅度，同時也將提升中國企業(yè)的進(jìn)入門檻。

　　產(chǎn)業(yè)鏈密切協(xié)作推進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)

　　市場對存儲芯片的需求在不斷增長，根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，2016年規(guī)模最大的細(xì)分市場是邏輯電路，容量為883億美元;存儲芯片市場容量居第二位，為743億美元，兩者的差距已縮小到20%以內(nèi)。中國是全球最大的服務(wù)器、PC和智能手機市場，對存儲芯片的需求也極為龐大。然而，面對國際巨頭產(chǎn)能技術(shù)市場等全方位領(lǐng)先優(yōu)勢，中國發(fā)展存儲芯片勢必面臨巨大挑戰(zhàn)。

　　對此，兆易創(chuàng)新董事長兼總經(jīng)理朱一明指出，目前中國企業(yè)在特殊存儲器市場已經(jīng)形成一定基礎(chǔ)，但在主流存儲器如NAND Flash、DRAM方面卻存在著鴻溝。國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起需要上下游產(chǎn)業(yè)鏈之間密切協(xié)作互助，形成合力。此前，兆易創(chuàng)新在NOR Flash方面與中芯國際合作，發(fā)揮虛擬IDM的優(yōu)勢。在DRAM方面，兆易創(chuàng)新也有可能采取同樣策略，與合肥長鑫形成類似合作模式。

　　行業(yè)專家莫大康也指出，中國發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)是一個長期的過程，不可能一蹴而就。在未來相當(dāng)長的一段時間內(nèi)，中國半導(dǎo)體業(yè)必須是一個踏踏實實的“跟隨者”與“學(xué)習(xí)者”，同樣又是一個與產(chǎn)業(yè)共同進(jìn)步的“貢獻(xiàn)者”。與全球其他地區(qū)不同，此次中國傾全力來發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)，因此相對實力十分強大，是全球其他地區(qū)與國家無法比擬的，即便暫時道路有些迂回，也沒有什么可怕的。