中國“芯”力量崛起 存儲器業(yè)春天加速到來
在看國產(chǎn)芯片崛起最新相關消息之前先來深入了解一下芯片的構(gòu)造。指內(nèi)含集成電路的硅片,體積很小,常常是計算機或其他電子設備的一部分。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/201704/358535.htm從1930年代開始,元素周期表中的化學元素中的半導體被研究者如貝爾實驗室的WilliamShockley認為是固態(tài)真空管的最可能的原料。從氧化銅到鍺,再到硅,原料在1940到1950年代被系統(tǒng)的研究。今天,盡管元素中期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應用于特殊用途如:發(fā)光二極管,激光,太陽能電池和最高速集成電路,單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時間。
隨著市場需求的攀升,存儲芯片影響力不斷增強。據(jù)統(tǒng)計,目前國內(nèi)已有四家公司計劃發(fā)力存儲器市場。隨著這幾股“芯”力量的崛起,我國存儲器業(yè)春天有望加速到來。
全球物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心、智能家居、便攜設備等應用的發(fā)展不斷豐富著我們的物質(zhì)生活和精神生活,這些應用的正常運行都離不開半導體數(shù)據(jù)存儲芯片。近年來,隨著市場需求的猛增,存儲芯片影響力不斷增強。
市場人士認為,考慮到投資的生產(chǎn)收益減少,加上芯片制造商謹慎管理產(chǎn)能,記憶體芯片產(chǎn)業(yè)的有利形勢或?qū)⒛茇灤?017年全年。
反觀國內(nèi),我國作為全球制造業(yè)基地,存儲器消耗量驚人。據(jù)統(tǒng)計,中國存儲器消耗量占全球總消耗量的50%以上,但國產(chǎn)存儲產(chǎn)品卻屈指可數(shù)。此外,我國在存儲器芯片領域長期面臨市場需求大而自主知識產(chǎn)權和關鍵技術缺乏的困境,開展大容量存儲技術的研究和相關產(chǎn)品研制迫在眉睫。
2014年6月,國務院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》,將半導體產(chǎn)業(yè)新技術研發(fā)提升至國家戰(zhàn)略高度。在此背景下,為推動自主存儲芯片技術和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,中國科學院微電子研究所與長江存儲科技有限責任公司建立戰(zhàn)略合作,集中開展3DNAND領域關鍵技術的全方位攻關。
不止于此,據(jù)目前的報道,國內(nèi)已有四家公司欲做存儲器,分別是武漢長江存儲,投資240億美元,一期10萬片,目標是自己研發(fā)的3DNAND閃存;另一家是泉州晉華,投資約60億美元,做利基型DRAM,技術來源于臺聯(lián)華(UMC);還有一家是合肥智聚,投資80億美元,于2016年6月已經(jīng)開工,計劃今年年底左右進入設備安裝階段;最后一家是南京紫光,投資300億美元,具體計劃尚未公布。
隨著這幾股“芯”力量的崛起,我國存儲器業(yè)春天有望加速到來。因此,中國半導體業(yè)的發(fā)展必定會跨入全球存儲器的行列之中。至于未來能有多大作為,要看自身的努力程度和機遇,但是必須要在研發(fā)方面有所突破,或者在存儲器生產(chǎn)線的運營中能夠掌握它的獨特規(guī)律。
可以說,中國半導體業(yè)用存儲器作為IDM模式的突破口,是個新的嘗試。這一新嘗試需要的不僅是信心,還有足夠的耐心。要知道,中芯國際經(jīng)過15年的歷程,才剛達到年銷售額30億美元,由此推算,到2025年時再來回顧中國存儲器業(yè)可能也不遲。
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