力晶：大陸DRAM做不起來　5G時代存儲器會長缺

　　力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢就可以，但未來用補助研發(fā)費用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預計進入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術，未來DRAM是長期缺貨的走勢!

　　黃崇仁進一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND Flash產(chǎn)品線，DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)無戰(zhàn)爭，真正的戰(zhàn)場在晶圓代工產(chǎn)業(yè)。

　　他進一步指出，DRAM制程技術發(fā)展到20納米世代以下，會整個慢下來，過去透過技術制程微縮帶來的成本下降效應已經(jīng)到達瓶頸，要增加供給只能再蓋新廠，但重新計算新機臺設備的折舊，只是會讓生產(chǎn)成本墊高，所以未來DRAM產(chǎn)業(yè)注定是供需吃緊。

　　再者，雖然個人電腦(PC)對于存儲器的用量越來越少，但服務器到未來5G時代，會吃掉很大量的存儲器，2018年韓國辦冬季奧運會率先展示5G技術，會將大量影片秒速上傳，背后需要龐大的存儲器容量做支援，預計，未來5G時代來臨，全球存儲器會面臨面臨長期性的大缺貨。

　　力晶同時也宣布和利基型存儲器(SDRAM)IC設計公司將合作技術開發(fā)，看好愛普團隊是英特爾(Intel)出身，力晶會支付設計費用和IP授權費給愛普。

　　談到力晶自己的營運狀況，黃崇仁自信滿滿地表示，2016年EPS達到2.97元，董事會已經(jīng)通過配股息1元，預計2017年獲利可再攻100億元，達到5年獲利500億元的目標，重新掛牌上市不會等太久!

　　他也重申，力晶現(xiàn)在是晶圓代工廠，承襲日本技術是采用鋁制程，12吋廠可以自由轉換邏輯和存儲器生產(chǎn)線，可以隨著景氣波動而彈性變換產(chǎn)品線。

　　力晶目前12吋晶圓廠的產(chǎn)能全滿，2017年考慮再增加幾千片產(chǎn)能，制程技術會從30納米轉25納米或20納米制程。力晶現(xiàn)在有P1+P2廠房和P3廠，其中，P1+P2廠以晶圓代工為主，單月產(chǎn)能6~7萬片，存儲器代工占50%，其他代工產(chǎn)品有LCD Driver IC、電源管理芯片(PMIC)、感測器(Sensor)等。

　　再者，力晶P3廠單月產(chǎn)能快3萬片，是幫存儲器模組大廠金士頓(Kingston)做DRAM代工，機臺設備歸屬金士頓，以3x納米制程技術生產(chǎn)，預計2017年技術將轉進2x納米制程世代。

　　黃崇仁認為，放眼臺灣、大陸、日本、韓國、新加坡、美國這6個地方，臺灣的生產(chǎn)成本仍是最有競爭力的，以自己在大陸合肥蓋面板驅動芯片LCD Driver IC的12吋晶圓廠晶合的經(jīng)驗，臺灣的生產(chǎn)效率和成本仍是較高。