高啟全：長江存儲自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入

　　臺灣DRAM教父高啟全轉(zhuǎn)戰(zhàn)大陸紫光集團(tuán)操盤存儲器大計劃超過1年，日前晉升長江存儲的執(zhí)行董事、代行董事長，接受DIGITIMES獨(dú)家專訪公開未來規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會在技術(shù)開發(fā)具競爭力后才開始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時間會對長江存儲有利!

　　長江存儲計劃存儲器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現(xiàn)階段長江存儲的股權(quán)結(jié)構(gòu)是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和湖北投資集團(tuán)占24%、紫光集團(tuán)占51%，高啟全從2月底成為長江存儲的執(zhí)行董事、代行董事長。

　　高啟全獨(dú)家在DIGITIMES公開長江存儲在技術(shù)和量產(chǎn)的規(guī)劃，技術(shù)開發(fā)大本營在武漢，現(xiàn)已投入3D NAND研發(fā)，2017年底提供32層3D NAND的樣本，將是公司技術(shù)自主的里程碑，之后從事64層技術(shù)，待該技術(shù)成熟后，長江存儲才會投入3D NAND量產(chǎn)，屆時與三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)等國際大廠的技術(shù)差距會縮短至一代左右。

　　再者，長江存儲也考慮自己開發(fā)DRAM技術(shù)，可能的切入點是18/20納米制程，無論是3D NAND或是DRAM，一定要自己掌握核心技術(shù)，不會再走過去臺灣技術(shù)授權(quán)的老路!

　　高啟全表示，無論是DRAM或3D NAND技術(shù)，最好的合作伙伴是美光，但現(xiàn)在政治氣氛不對，美國對大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的積極度有被威脅之感，因此洽談的時間會再延長，但美光1年來全球DRAM市占率從28%掉到18%，不快加入長江存儲的陣營一起奮斗，未來只會更辛苦。

　　長江存儲分為武漢和南京12吋廠兩大據(jù)點，各自單月產(chǎn)能都是30萬片規(guī)劃，外界對于這樣的產(chǎn)能規(guī)模，以及何時量產(chǎn)都有很多疑問，他強(qiáng)調(diào)，12吋廠規(guī)劃不會是虛晃一招，但技術(shù)沒成熟前也絕對不會冒然投產(chǎn)，長江存儲的存儲器規(guī)劃是有計劃、慢慢做，千秋大業(yè)是急不得，我們也不會去打亂市場的行情。

　　高啟全指出，這樣的12吋產(chǎn)能規(guī)模將會成為對抗三星電子(Samsung Electroncis)的充裕子彈和最佳利器，歡迎美光加入，現(xiàn)在南韓控制全球DRAM市占高達(dá)80%、NAND Flash高達(dá)60%，不出幾年的時間，南韓就會掌握全球90%的存儲器晶片，這是全世界都該害怕的事情，三星是全球科技業(yè)的威脅。

　　他進(jìn)一步表示，一定要有人扮演在全球平衡三星的勢力，對臺灣亦有利，以大陸有計劃的布局可扮演此角色，且只有大陸才有這個資源投入，長江存儲就是基于這個出發(fā)點而誕生，也是大基金唯一真正投資的存儲器陣營。

　　他分析，大陸每年進(jìn)口的 芯片金額高達(dá)2,500億美元，當(dāng)中以存儲器芯片為大宗，但自己制造的主流DRAM和NAND Flash芯片卻是零，大陸有半導(dǎo)體政策要做、出錢出力、給時間讓技術(shù)落地生根，大家應(yīng)該更正面去看長江存儲的規(guī)劃和發(fā)展。

　　他強(qiáng)調(diào)，3D NAND和DRAM技術(shù)絕對在大陸自主開發(fā)，技術(shù)不成熟時不會冒然投產(chǎn)，另外，我們不會再走回過去臺灣技術(shù)授權(quán)的失敗老路，發(fā)展自有技術(shù)同時，侵犯別人專利會付錢，且長存已累積多個3D NAND專利，別人用到也要付費(fèi)，唯有合法來源取得技術(shù)，持續(xù)前進(jìn)，才能吸引到全球人才，打造國際級的規(guī)格。