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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 長江存儲

首款晶棧Xtacking 2.0技術(shù)！

  • 12月18日消息，長江存儲近日推出了PE321固態(tài)硬盤，憑借其第三代三維閃存技術(shù)，以高達6.4TB的容量引起了廣泛關(guān)注?，F(xiàn)在這款SSD已經(jīng)來到我們評測室，下面為大家?guī)韴D賞。PE321是長江存儲首款采用晶棧Xtacking 2.0 技術(shù)的PCIe 4.0企業(yè)級固態(tài)硬盤。其最大順序?qū)懭胨俣冗_到6400MB/s，讀取速度更是高達6800MB/s，這在處理大容量數(shù)據(jù)時無疑是巨大的優(yōu)勢。隨機讀寫性能方面同樣不俗，在進行4K隨機讀寫測試時，其寫入性能穩(wěn)步達到650k IOPS，讀取性能為580k IOPS，這使得它
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國產(chǎn)存儲之光！長江存儲：沒打算上市 更不會借殼

  • 12月9日消息，針對外界的傳聞，長江存儲公開回應(yīng)稱，他們沒有上市的打算。長江存儲發(fā)布聲明稱，近期多家媒體捏造、散布和傳播長江存儲“借殼上市”的不實傳聞。為澄清事實，我司發(fā)表聲明如下：一、長江存儲從無任何“借殼上市”的意愿。     二、長江存儲與“萬潤科技”等上市公司無直接業(yè)務(wù)合作。三、請相關(guān)單位自重并立即停止一切失實報道。我司將保留追究相關(guān)單位法律責(zé)任的權(quán)利。作為國產(chǎn)存儲之光，之前有消息稱長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下，已成功采用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備替代部
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長江存儲再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項專利

  • IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲產(chǎn)品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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國產(chǎn)閃存受阻：三星馬上就漲價！

  • 在閃存領(lǐng)域突飛猛進的長江存儲，還是遭到了美國的制裁，被列入“實體清單”，幾乎是同一時間，三星就開始漲價了！DigiTimes報道稱， 隨著長江存儲遭到制裁，部分PC廠商不得不暫停合作，而面對突然增加的市場需求，三星將其3D NAND閃存的報價提高了10％。當(dāng)然，同樣作為NAND閃存巨頭，SK海力士、美光、鎧俠/西部數(shù)據(jù)也有機會獲得更多市場，但 三星畢竟是全球第一大NAND閃存供應(yīng)商，今年第二季度份額為33％ ，雖然下跌了2.3個百分點但依然遙遙領(lǐng)先。 相比之下，SK
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長江存儲發(fā)布嚴(yán)正聲明

  • 10月20日晚，長江存儲發(fā)布嚴(yán)正聲明，以下為聲明全文：近日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”或“我司”）發(fā)現(xiàn)個別媒體通過多種渠道刊登、散布“工信部與國內(nèi)主要半導(dǎo)體企業(yè)過去一周召開了一系列緊急會議，尋求評估拜登政府針對芯片祭出的限制措施所造成的損害，并承諾對這個半導(dǎo)體行業(yè)的支持”的信息，并散布關(guān)于我司參與閉門會議的不實言論。面對謠言，長江存儲一貫堅持清者自清。但在目前市場環(huán)境和產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在發(fā)生重大變化的局勢下，上述用心險惡的不實言論不止傷害了長江存儲的企業(yè)形象，還將對國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)環(huán)境造成嚴(yán)
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拆機證實，國行蘋果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長江存儲國產(chǎn) NAND 閃存

  • IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋果召開新品發(fā)布會，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機，起價 5999 元。在此之前，韓媒消息稱中國廠商長江存儲已經(jīng)進入蘋果供應(yīng)鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋果也承認(rèn)正考慮從長江存儲采購 NAND 芯片，但僅會用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠商。因此，市場觀察人士認(rèn)為，蘋果與長江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應(yīng)商進一步
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目前已經(jīng)上市 長江存儲宣推首款企業(yè)級PCIe4.0 SSD

  • 今日消息，長江存儲宣推首款企業(yè)級PCIe4.0固態(tài)硬盤 PE310系列，適用于大數(shù)據(jù)、云計算、流媒體等云存儲場景。這個系列采用U.2接口，支持PCIe4.0和NVMe1.4協(xié)議，而且搭載自家第三代三維閃存芯片，讀取密集型可選1.92TB、3.84TB和7.68TB，混合應(yīng)用型可選1.6TB、3.2TB和6.4TB。另外，其4K隨機讀、寫穩(wěn)態(tài)性能高達1000KIOPS、380KIOPS。值得一提的是，長江存儲PE310系列固態(tài)硬盤已經(jīng)上市。喜歡這一系列的朋友就多關(guān)注下吧。
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布局企業(yè)級存儲市場 長江存儲推出PCIe 4.0 NVMe固態(tài)硬盤PE310系列

  • 長江存儲首款企業(yè)級PCIe 4.0固態(tài)硬盤PE310系列的推出，是長江存儲對企業(yè)級存儲市場的重要布局，也標(biāo)志著長江存儲存儲系統(tǒng)解決方案業(yè)務(wù)版圖的完善。PE310將為大數(shù)據(jù)、云計算、流媒體等云存儲場景提供高性能、高可靠的數(shù)據(jù)存儲。2022年7月25日，長江存儲推出首款企業(yè)級PCIe 4.0 NVMe固態(tài)硬盤PE310系列，正式進入高端企業(yè)級固態(tài)硬盤市場。該產(chǎn)品是繼消費級固態(tài)硬盤、嵌入式存儲器之后，長江存儲在存儲系統(tǒng)解決方案領(lǐng)域的重要布局。長江存儲PE310系列基于晶棧?2.0（Xtacking?2.0）技術(shù)
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長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時代存儲升級

  • 近日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

  • 這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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祥龍電業(yè)：小而干凈的國企殼，會注入長江存儲半導(dǎo)體還是氫能源

  • 1、國企改革背景今年是國企改革三年行動的最后一年，也是收官之年。國企改革的目標(biāo)是支持企業(yè)做大做強，實現(xiàn)企業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展，提升公司的資產(chǎn)證券化率。三年行動計劃強調(diào)國企向優(yōu)質(zhì)產(chǎn)業(yè)鏈靠近，鼓勵國企布局新興產(chǎn)業(yè)，此背景下相關(guān)央企有望在業(yè)績改善的同時獲得估值重塑。湖北省和武漢市最近在國企改革方面也是頻頻出手，我們先來看下最近的幾個案例2022年3月，榮豐控股公告變更實控人。原控股股東盛世達投資與湖北新動能基金簽署了《股份轉(zhuǎn)讓框架協(xié)議》，實控人變成湖北省國資委。2022年3月28日，三峽旅游注入新的資產(chǎn)。2022年4
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存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年

  • 近日，有消息稱，國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計在2022年底或2023年初，會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢姡瑖a(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來捷報，長江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

  • 中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長江存儲192層閃存送樣，預(yù)計年底量產(chǎn)

  • 頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計年底實現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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國產(chǎn)技術(shù)進步：長江存儲或跳過192層閃存 切入232層

  • 2016年成立的長江存儲，于2017年通過自主研發(fā)和國際合作的方式，設(shè)計制造了首款3D NAND閃存。2019年，長江存儲晶棧 Xtacking架構(gòu)的第二代3D TLC閃存量產(chǎn)，2020年，第三代TLC/QLC研發(fā)成功，推進到128層3D堆疊。在閃存領(lǐng)域，通常將堆疊層數(shù)視作技術(shù)先進程度的指標(biāo)。DT報道稱，業(yè)內(nèi)人士給出消息稱，長江存儲計劃跳過192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。根據(jù)此前韓國研究機構(gòu)OERI的一份報告，其表示中韓閃存技術(shù)差距目前已經(jīng)縮短至兩年，理由是三星和SK海力士明年初會量產(chǎn)超200層閃存，
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長江存儲介紹

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