長(zhǎng)江存儲(chǔ) 文章進(jìn)入長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)社區(qū)

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存年底量產(chǎn) 但前路依舊漫漫

本月初，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，其64層堆棧3D NAND閃存已開(kāi)始量產(chǎn)。雖然國(guó)產(chǎn)3D NAND已經(jīng)取得了突破了，但是在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)依然是一片空白。原本被寄予厚望的福建晉華，由于遭遇美國(guó)“禁令”，已長(zhǎng)期處于停擺狀態(tài)。受此影響，碩果僅存的合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)不得不小心翼翼，放慢節(jié)奏，強(qiáng)化合規(guī)，穩(wěn)扎穩(wěn)打。根據(jù)最新的消息顯示，目前合肥長(zhǎng)鑫的DRAM研發(fā)進(jìn)展順利，已經(jīng)提前進(jìn)行機(jī)臺(tái)安裝，有望在今年年底順利量產(chǎn)國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存。另外，紫光集團(tuán)在3D NAND領(lǐng)域取得突破之后，也開(kāi)始進(jìn)軍DRAM領(lǐng)域，力求在
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紫光64層3D閃存正式亮相國(guó)產(chǎn)1TB硬盤(pán)有望

在日前召開(kāi)的2019中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上，紫光集團(tuán)展出了旗下芯片及云計(jì)算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展，其中首次公開(kāi)展出了旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的64層堆棧3D閃存，采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu)，核心容量也提升到了256Gb。
關(guān)鍵字：紫光 3D閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ)

紫光國(guó)產(chǎn)64層3D閃存正式亮相：Xstacking堆棧 256Gb核心

在今天召開(kāi)的2019中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上，紫光集團(tuán)展出了旗下芯片及云計(jì)算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展，其中首次公開(kāi)展出了旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的64層堆棧3D閃存，采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu)，核心容量也提升到了256Gb。根據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶(hù)提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。在閃存芯片上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年就小規(guī)模量
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武漢全力保障國(guó)家存儲(chǔ)器基地建設(shè) 國(guó)產(chǎn)閃存發(fā)展提速

去年中國(guó)進(jìn)口的3000多億美元的半導(dǎo)體芯片中，存儲(chǔ)芯片就占了三分之一左右，價(jià)值上千億美元的芯片基本上沒(méi)有國(guó)產(chǎn)的份兒，國(guó)內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)存在被卡脖子的可能性，所以發(fā)展國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)是刻不容緩的大事了。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層NAND量產(chǎn)在即　與紫光集團(tuán)角力戰(zhàn)漸起

市場(chǎng)傳出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有意改變策略，越過(guò)大股東紫光集團(tuán)的銷(xiāo)售管道，采取自產(chǎn)自銷(xiāo)3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
關(guān)鍵字：紫光集團(tuán) 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年將量產(chǎn)64層3D NAND閃存

紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司，也是目前進(jìn)度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)（CITE2019）上展示了企業(yè)級(jí)P8260硬盤(pán)，使用的就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND閃存。長(zhǎng)江存儲(chǔ)并不打算大規(guī)模生產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存，該公司CTO程衛(wèi)華在接受采訪(fǎng)時(shí)表示今年下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，目前計(jì)劃進(jìn)展順利，沒(méi)有任何障礙。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期于年底量產(chǎn)64層3D閃存：加劇市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)

　　SSD的價(jià)格迎來(lái)一些新變數(shù)?！　‘a(chǎn)業(yè)鏈消息，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，此舉將把國(guó)產(chǎn)顆粒與世界頂級(jí)品牌的技術(shù)差距縮短到兩年左右?！　⊥瑫r(shí)，在閃存價(jià)格不斷下探的2019年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的入局將進(jìn)一步加劇競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)，使得價(jià)格爭(zhēng)奪更猛烈。　　對(duì)于這樣的新面孔，美光執(zhí)行副總裁Sumit Sadana最近表示，他和公司密切關(guān)注中國(guó)存儲(chǔ)新星的動(dòng)態(tài)。不過(guò)，他同時(shí)指出，無(wú)論品質(zhì)還是良率，新企業(yè)還有很大的提升空間，包括滿(mǎn)足客戶(hù)的各種需求。　　Sadana認(rèn)為，位列前茅的閃存企業(yè)不會(huì)被趕出市
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存儲(chǔ)芯片越來(lái)越緊俏，中國(guó)企業(yè)該如何突破？

隨著近兩年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)的迅猛發(fā)展，已逐步呈現(xiàn)“衰落”之勢(shì)，因NAND閃存芯片價(jià)格自2017年第四季已開(kāi)始反轉(zhuǎn)，且DRAM內(nèi)存芯片在2018年首季之后的供需動(dòng)態(tài)能見(jiàn)度已經(jīng)下滑。2017年DRAM價(jià)格上漲超過(guò)四成，同期NAND的價(jià)格漲幅也近四成。NAND的主要市場(chǎng)為PC機(jī)內(nèi)存和手機(jī)內(nèi)存，DRAM需求逐漸趨緩，庫(kù)存、定價(jià)壓力與日俱增，而NAND閃存供過(guò)于求，價(jià)格將進(jìn)一步走低。
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2018年NAND Flash價(jià)格跌幅超過(guò)50%，背后原因?yàn)楹危?/a>

　　隨著智能型手機(jī)、平板、PC等消費(fèi)類(lèi)電子擴(kuò)大普及，以及大數(shù)據(jù)、安防監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G網(wǎng)絡(luò)、無(wú)人駕駛等熱潮的興起，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求與日俱增。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2018年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1500億美元?！　≡?月19日的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)上，央視記者采訪(fǎng)了存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的知名企業(yè)，比如：西部數(shù)據(jù)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、慧榮、江波龍、群聯(lián)、大華、元禾華創(chuàng)等，同時(shí)業(yè)內(nèi)大咖也分享了對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的看法。　　央視財(cái)經(jīng)頻道精彩回顧：原廠3D閃存芯片產(chǎn)出增加存儲(chǔ)容量

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不怕虧錢(qián)，未來(lái)十年長(zhǎng)江存儲(chǔ)持續(xù)增加研發(fā)投入

　　對(duì)于一個(gè)多月前在美國(guó)圣克拉拉召開(kāi)的全球閃存峰會(huì)上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全接受中國(guó)證券報(bào)記者專(zhuān)訪(fǎng)表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來(lái)十年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將持續(xù)增加研發(fā)投入?！　≈瞥痰膬纱箅y點(diǎn)　　中國(guó)證券報(bào)：3D NAND制造工藝的難點(diǎn)在哪些地方?　　高啟全：3D NAND的困難點(diǎn)在于一層層疊上去的時(shí)候需要打洞把每一層連接起來(lái)，層數(shù)越多需要打的洞就越多，每一個(gè)單位都要打洞，數(shù)量可達(dá)幾百萬(wàn)個(gè)。必須保證做到垂直地
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND架構(gòu)Xtacking揭秘：I/O速度看齊DDR4

　　談到NAND閃存，或者說(shuō)以它為代表的SSD產(chǎn)品，多數(shù)人對(duì)速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上，但其實(shí)閃存芯片也有內(nèi)部接口，LGA/BGA都有引腳，所以就有引腳帶寬，即I/O接口速度的概念，一定程度上可理解為內(nèi)頻。　　今晨結(jié)束的Flash Memory Summit(閃存技術(shù)峰會(huì))的首日Keynote上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)(Yangtze Memory Technology，YMTC)壓軸出場(chǎng)，介紹了新的3D NAND架構(gòu)Xtacking?！　￠L(zhǎng)江存儲(chǔ)稱(chēng)，數(shù)據(jù)產(chǎn)生的能力和貯存能力的增長(zhǎng)是
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)/中芯國(guó)際紛紛訂購(gòu)EUV，這能成就中國(guó)芯之夢(mèng)嗎？

中興通訊受美國(guó)政府制裁一案，為大陸高端芯片的自主拉起警報(bào)，大陸自官方到民間無(wú)不立刻加大芯片研發(fā)的投資力度。
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價(jià)值7200萬(wàn)美元，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首臺(tái)光刻機(jī)運(yùn)抵武漢

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首臺(tái)光刻機(jī)已于今天中午運(yùn)抵武漢天河機(jī)場(chǎng)，設(shè)備相關(guān)的海關(guān)、商檢及邊防口岸的相關(guān)手續(xù)辦理完成后，即可運(yùn)至長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工廠。據(jù)集微網(wǎng)獨(dú)家消息，這臺(tái)光刻機(jī)為ASML的193nm浸潤(rùn)式光刻機(jī)，售價(jià)7200萬(wàn)美元，用于14nm~20nm工藝。這也從側(cè)面透露了長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存芯片的工藝制程。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的第一臺(tái)光刻機(jī)，陸續(xù)還會(huì)有多臺(tái)運(yùn)抵。　　圖：ASML的光刻機(jī)安全降落武漢天河機(jī)場(chǎng)，正在卸貨中　　在今年的4月5日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首批400萬(wàn)美元的精密儀器開(kāi)始進(jìn)場(chǎng)安裝，標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)
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武漢市長(zhǎng)萬(wàn)勇:長(zhǎng)江存儲(chǔ)首個(gè)芯片今年點(diǎn)亮明年量產(chǎn)

　　全國(guó)人大代表、武漢市市長(zhǎng)萬(wàn)勇在接受采訪(fǎng)時(shí)表示，武漢市正在重點(diǎn)打造存儲(chǔ)器、商業(yè)航天、網(wǎng)絡(luò)安全人才與創(chuàng)新、智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)和新能源汽車(chē)等四個(gè)國(guó)家級(jí)產(chǎn)業(yè)基地、加快培育戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。　　萬(wàn)勇透露，武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地計(jì)產(chǎn)能10萬(wàn)片/月的一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房，首個(gè)芯片會(huì)在2018年點(diǎn)亮，明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國(guó)務(wù)院批復(fù)的武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地，規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3DNANDFlash生產(chǎn)廠房，到2022年全部達(dá)產(chǎn)后，產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月，成為世界一流的存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地。他表示，武漢圍繞芯片上游的設(shè)計(jì)封裝
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存儲(chǔ)器即將實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，三星獨(dú)大的局面可望被中國(guó)打破

　　在春節(jié)長(zhǎng)假期，國(guó)人歡慶佳節(jié)的時(shí)候，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工廠依然在加緊建設(shè)，以確保今年三季度投產(chǎn)NAND flash，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)，中國(guó)可望打破當(dāng)前三星在NAND flash行業(yè)獨(dú)大的局面。　　　　據(jù)介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在建設(shè)的NAND flash存儲(chǔ)器工廠包括了三座全球潔凈面積最大NAND flash生產(chǎn)廠房，投資額高達(dá)240億美元，春節(jié)期間正在進(jìn)行潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，計(jì)劃在4月份搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備，三季度開(kāi)始正式投產(chǎn)。　　當(dāng)前全球NAND flash市場(chǎng)五大巨頭分別是三星
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)介紹

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資訊 | 陳南翔將出任長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)

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