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長江存儲首款PCIe 5.0企業(yè)級SSD PE511：首次32TB、性能提升100％

  • 3月13日消息，除了首款商用級PCIe 5.0 SSD PC450，長江存儲還披露了首款企業(yè)級PCIe 5.0 SSD，型號為“PE511”。它采用長江存儲新一代晶棧4.0閃存，相比于現(xiàn)有的PE321首次增加了16TB、32TB的大容量版本，同時保留3.84他、7.68TB，而最小的1.92TB直接淘汰。接口形態(tài)在U.2之外，還新增加了E3.S。由于采用了PCIe 5.0接口，整體性能可提升多達100％，直接翻番，但暫未公開具體數(shù)據(jù)。在耐久度方面也提升了20％，支持每天4次全盤寫入。發(fā)布時間暫時不詳，估計
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十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術(shù)

  • 近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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歷史首次！三星將使用長江存儲專利技術(shù)

  • 據(jù)韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報道稱，三星電子近期已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術(shù)的專利許可協(xié)議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產(chǎn)品（430層）開始使用該專利技術(shù)來進行制造。報道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權(quán)，主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。并且三星經(jīng)過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經(jīng)無法再避免長江存儲專利的影
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稱三星與長江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專利

  • 據(jù)韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術(shù)，特別是在新的先進封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議，達成合作。據(jù)悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術(shù)，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)。據(jù)了解，長江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨立加工負責
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應對降價：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

  • 1月13日消息，據(jù)媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產(chǎn)品的價格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產(chǎn)量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應，導致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產(chǎn)措施，當時
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美國國防部將騰訊、寧德時代、長鑫存儲等134家中企列入黑名單

  • 當?shù)貢r間1月6日，美國國防部通過《聯(lián)邦公報》發(fā)布最新版的“中國涉軍企業(yè)”清單（Communist Chinese military company，“CMC”，根據(jù)美國法律正式規(guī)定為“第1260H條名單”），將騰訊控股、寧德時代、長鑫存儲、移遠通信，以及無人機制造商深圳市道通智能航空技術(shù)股份有限公司（Autel Robotics Co.,Ltd.）等中企新增列入該清單，完整清單包括134家中企，其中還涵蓋了長江存儲、中芯國際等眾多中國半導體企業(yè)。根據(jù)美國《2024財年國防授權(quán)法》的相關(guān)規(guī)定，被列
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首款晶棧Xtacking 2.0技術(shù)！

  • 12月18日消息，長江存儲近日推出了PE321固態(tài)硬盤，憑借其第三代三維閃存技術(shù)，以高達6.4TB的容量引起了廣泛關(guān)注。現(xiàn)在這款SSD已經(jīng)來到我們評測室，下面為大家?guī)韴D賞。PE321是長江存儲首款采用晶棧Xtacking 2.0 技術(shù)的PCIe 4.0企業(yè)級固態(tài)硬盤。其最大順序?qū)懭胨俣冗_到6400MB/s，讀取速度更是高達6800MB/s，這在處理大容量數(shù)據(jù)時無疑是巨大的優(yōu)勢。隨機讀寫性能方面同樣不俗，在進行4K隨機讀寫測試時，其寫入性能穩(wěn)步達到650k IOPS，讀取性能為580k IOPS，這使得它
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國產(chǎn)存儲之光！長江存儲：沒打算上市 更不會借殼

  • 12月9日消息，針對外界的傳聞，長江存儲公開回應稱，他們沒有上市的打算。長江存儲發(fā)布聲明稱，近期多家媒體捏造、散布和傳播長江存儲“借殼上市”的不實傳聞。為澄清事實，我司發(fā)表聲明如下：一、長江存儲從無任何“借殼上市”的意愿。     二、長江存儲與“萬潤科技”等上市公司無直接業(yè)務合作。三、請相關(guān)單位自重并立即停止一切失實報道。我司將保留追究相關(guān)單位法律責任的權(quán)利。作為國產(chǎn)存儲之光，之前有消息稱長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下，已成功采用國產(chǎn)半導體設備替代部
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長江存儲再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項專利

  • IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲產(chǎn)品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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國產(chǎn)閃存受阻：三星馬上就漲價！

  • 在閃存領(lǐng)域突飛猛進的長江存儲，還是遭到了美國的制裁，被列入“實體清單”，幾乎是同一時間，三星就開始漲價了！DigiTimes報道稱， 隨著長江存儲遭到制裁，部分PC廠商不得不暫停合作，而面對突然增加的市場需求，三星將其3D NAND閃存的報價提高了10％。當然，同樣作為NAND閃存巨頭，SK海力士、美光、鎧俠/西部數(shù)據(jù)也有機會獲得更多市場，但 三星畢竟是全球第一大NAND閃存供應商，今年第二季度份額為33％ ，雖然下跌了2.3個百分點但依然遙遙領(lǐng)先。 相比之下，SK
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長江存儲發(fā)布嚴正聲明

  • 10月20日晚，長江存儲發(fā)布嚴正聲明，以下為聲明全文：近日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”或“我司”）發(fā)現(xiàn)個別媒體通過多種渠道刊登、散布“工信部與國內(nèi)主要半導體企業(yè)過去一周召開了一系列緊急會議，尋求評估拜登政府針對芯片祭出的限制措施所造成的損害，并承諾對這個半導體行業(yè)的支持”的信息，并散布關(guān)于我司參與閉門會議的不實言論。面對謠言，長江存儲一貫堅持清者自清。但在目前市場環(huán)境和產(chǎn)業(yè)環(huán)境正在發(fā)生重大變化的局勢下，上述用心險惡的不實言論不止傷害了長江存儲的企業(yè)形象，還將對國內(nèi)外半導體產(chǎn)業(yè)環(huán)境造成嚴
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拆機證實，國行蘋果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長江存儲國產(chǎn) NAND 閃存

  • IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋果召開新品發(fā)布會，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機，起價 5999 元。在此之前，韓媒消息稱中國廠商長江存儲已經(jīng)進入蘋果供應鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續(xù)蘋果也承認正考慮從長江存儲采購 NAND 芯片，但僅會用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠商。因此，市場觀察人士認為，蘋果與長江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應商進一步
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目前已經(jīng)上市 長江存儲宣推首款企業(yè)級PCIe4.0 SSD

  • 今日消息，長江存儲宣推首款企業(yè)級PCIe4.0固態(tài)硬盤 PE310系列，適用于大數(shù)據(jù)、云計算、流媒體等云存儲場景。這個系列采用U.2接口，支持PCIe4.0和NVMe1.4協(xié)議，而且搭載自家第三代三維閃存芯片，讀取密集型可選1.92TB、3.84TB和7.68TB，混合應用型可選1.6TB、3.2TB和6.4TB。另外，其4K隨機讀、寫穩(wěn)態(tài)性能高達1000KIOPS、380KIOPS。值得一提的是，長江存儲PE310系列固態(tài)硬盤已經(jīng)上市。喜歡這一系列的朋友就多關(guān)注下吧。
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布局企業(yè)級存儲市場 長江存儲推出PCIe 4.0 NVMe固態(tài)硬盤PE310系列

  • 長江存儲首款企業(yè)級PCIe 4.0固態(tài)硬盤PE310系列的推出，是長江存儲對企業(yè)級存儲市場的重要布局，也標志著長江存儲存儲系統(tǒng)解決方案業(yè)務版圖的完善。PE310將為大數(shù)據(jù)、云計算、流媒體等云存儲場景提供高性能、高可靠的數(shù)據(jù)存儲。2022年7月25日，長江存儲推出首款企業(yè)級PCIe 4.0 NVMe固態(tài)硬盤PE310系列，正式進入高端企業(yè)級固態(tài)硬盤市場。該產(chǎn)品是繼消費級固態(tài)硬盤、嵌入式存儲器之后，長江存儲在存儲系統(tǒng)解決方案領(lǐng)域的重要布局。長江存儲PE310系列基于晶棧?2.0（Xtacking?2.0）技術(shù)
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長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時代存儲升級

  • 近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長江存儲介紹

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