緣何說(shuō)第三代半導(dǎo)體會(huì)爆發(fā)？

　　(一)一二代半導(dǎo)體各有瓶頸，難以滿足新興市場(chǎng)需求

　　第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表，主要應(yīng)用在數(shù)據(jù)運(yùn)算領(lǐng)域，硅基芯片在人類社會(huì)的每一個(gè)角落無(wú)不閃爍著它的光輝，隨著科技需求的日益增加，硅傳輸速度慢、功能單一的不足暴露了出來(lái)，同時(shí)集成電路產(chǎn)業(yè)遵循的“摩爾定律”演進(jìn)趨緩，以新材料、新結(jié)構(gòu)以及新工藝為特征的“超越摩爾定律”成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展方向。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料，主要應(yīng)用于通信領(lǐng)域。從21世紀(jì)開(kāi)始，智能手機(jī)、新能源汽車、機(jī)器人等新興的電子科技發(fā)展迅速，同時(shí)全球能源和環(huán)境危機(jī)突出，能源利用趨向低功耗和精細(xì)管理，傳統(tǒng)的第一、二代半導(dǎo)體材料由于自身的性能限制已經(jīng)無(wú)法滿足科技的需求，這就呼喚需要出現(xiàn)新的材料來(lái)進(jìn)行替代。

　　(二)第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)明顯，重點(diǎn)領(lǐng)域市場(chǎng)需求量大

　　以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料憑借其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、高抗輻射能力等特點(diǎn)，在許多應(yīng)用領(lǐng)域擁有前兩代半導(dǎo)體材料無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)，有望突破第一、二代半導(dǎo)體材料應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展瓶頸，市場(chǎng)應(yīng)用潛力巨大。根據(jù)第三代半導(dǎo)體不同的發(fā)展情況，其主要應(yīng)用為半導(dǎo)體照明、電力電子器件、激光器和探測(cè)器以及其他4個(gè)領(lǐng)域，每個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)成熟度各不相同，其中前沿研究領(lǐng)域，寬禁帶半導(dǎo)體還處于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)階段。預(yù)計(jì)到2020年，第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用將在節(jié)能減排、信息技術(shù)、國(guó)防三大領(lǐng)域催生上萬(wàn)億元潛在市場(chǎng)，而碳化硅和氮化鎵器件很可能成為推動(dòng)整個(gè)電力電子、光電子和微波射頻三大領(lǐng)域效率提升和技術(shù)升級(jí)的關(guān)鍵動(dòng)力之一。

　　(三)發(fā)達(dá)國(guó)家展開(kāi)全面部署，美日歐欲搶?xiě)?zhàn)略制高點(diǎn)

　　國(guó)際上第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)整體進(jìn)入產(chǎn)業(yè)形成期，并開(kāi)始步入激烈競(jìng)爭(zhēng)的階段，眾多國(guó)家將其列入國(guó)家戰(zhàn)略，從國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)角度看，美、日、歐等發(fā)達(dá)國(guó)家已將第三代半導(dǎo)體材料列入國(guó)家計(jì)劃，并展開(kāi)全面戰(zhàn)略部署，欲搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。

　　(四)國(guó)家意志驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，第三代半導(dǎo)體迎來(lái)機(jī)遇

　　我國(guó)政府高度重視第三代半導(dǎo)體材料的研究與開(kāi)發(fā)，從2004年開(kāi)始對(duì)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究進(jìn)行了部署，啟動(dòng)了一系列重大研究項(xiàng)目，2013年科技部在863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域項(xiàng)目征集指南中明確將第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用列為重要內(nèi)容。2015年5月，國(guó)務(wù)院發(fā)布《中國(guó)制造2025》，新材料是《〈中國(guó)制造2025〉重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖》中十大重點(diǎn)領(lǐng)域之一，其中第三代半導(dǎo)體被納入關(guān)鍵戰(zhàn)略材料發(fā)展重點(diǎn);同年，京津冀聯(lián)合共建了第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地，欲搶占第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略新高地，并引進(jìn)國(guó)際優(yōu)勢(shì)創(chuàng)新資源。2016年作為“十三五”開(kāi)局之年，科技部、工信部、國(guó)家發(fā)改委等多部委出臺(tái)多項(xiàng)政策，對(duì)第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)行布局。從政策的內(nèi)容來(lái)看，科技創(chuàng)新仍是重點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)化布局、專業(yè)人才儲(chǔ)備、投資鼓勵(lì)、產(chǎn)業(yè)園規(guī)劃建設(shè)、生產(chǎn)制造扶植等方面的支持政策也逐步出臺(tái)，力爭(zhēng)全面實(shí)現(xiàn)“換道超車”。地方政策也在2016年大量出臺(tái)，一方面多地均將第三代半導(dǎo)體寫(xiě)入“十三五”相關(guān)規(guī)劃(17項(xiàng));另一方面不少地方政府有針對(duì)性的對(duì)當(dāng)?shù)鼐哂幸欢▋?yōu)勢(shì)的SiC和GaN材料企業(yè)進(jìn)行扶持。