三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)

　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。

　　三星新芯片廠于 2015 年動(dòng)土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。

　　新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器。快閃存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲存設(shè)備。

　　市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲器龍頭，受惠于供給吃緊、平均報(bào)價(jià)(ASP)飆升，三星 NAND 快閃存儲器當(dāng)季報(bào)價(jià)增加 5%、單位出貨量季增 11-15%，推升營收成長近兩成(19.5%)，市占率來到 37.1%。

　　東芝同期間 NAND 存儲器市占率達(dá) 18.3%，暫居第二。Western Digital 緊追在后，僅差東芝 0.6 個(gè)百分點(diǎn)。