長江存儲3D閃存各項指標已達預(yù)期 2019年全速量產(chǎn)

　　NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán)，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。

　　長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，隨后該公司被紫光公司收購，變成了長江存儲科技(英文簡稱為TMTC)，武漢投資項目一期工程就是生產(chǎn)3D NAND閃存。

　　國產(chǎn)3D NAND閃存的起點還不算低，目前研究的是32層堆棧的3D NAND閃存，前不久長江存儲CEO楊士寧宣稱國產(chǎn)3D閃存各項指標已經(jīng)達到了預(yù)期要求。該款存儲器芯片由長江存儲與(中科院)微電子所三維存儲器研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā)，在微電子所三維存儲器研發(fā)中心主任、長江存儲NAND技術(shù)研發(fā)部項目資深技術(shù)總監(jiān)霍宗亮的帶領(lǐng)下，成功實現(xiàn)了工藝器件和電路設(shè)計的整套技術(shù)驗證，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出具有標志性意義的關(guān)鍵一步。

　　3D NAND完成實驗室研發(fā)只是一小步，后續(xù)的大規(guī)模量產(chǎn)才是關(guān)鍵。Digitimes報道稱長江存儲科技CEO楊士寧表示3D閃存工廠的生產(chǎn)裝備將在2018年Q1季度完成安裝，2019年則會完全量產(chǎn)。該公司的目標是在2020年時技術(shù)上達到國際領(lǐng)先的存儲芯片供應(yīng)商的水平。

　　楊士寧表示了NAND閃存市場需求正在被云計算、智能終端所推動，同時中國市場也具有極大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

　　不論是DRAM內(nèi)存還是NAND閃存市場，目前都被極少數(shù)廠商所統(tǒng)治，楊士寧表示長江存儲科技希望打破少數(shù)公司對市場的壟斷，該公司進入市場將為業(yè)界帶來良性競爭。

　　中國市場消耗了全球55%的存儲芯片產(chǎn)能，楊士寧稱在強大的市場需求及中國政府的財政支持下，長江存儲科技公司將增強對現(xiàn)有幾家存儲芯片公司的競爭力。

　　要想獲得長久的成功，擁有自己的核心是技術(shù)也是非常關(guān)鍵的，長江存儲科技公司目前就在這么做。楊士寧稱收購或者戰(zhàn)略投資也是該公司實現(xiàn)增長的另一個選擇。