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透過技術(shù)成熟度曲線看新型半導(dǎo)體材料

作者: 時(shí)間:2017-02-20 來源:SIMTAC 收藏
編者按:在逐漸步入成熟期的門口,下一代半導(dǎo)體材料也逐漸吸引了很多中小公司進(jìn)入,市場也逐漸活躍起來。但根據(jù)技術(shù)成熟度曲線和公司自身技術(shù)、資源儲(chǔ)備,評估合適的風(fēng)險(xiǎn)切入該市場,仍不失為理性的做法。

  隨著硅基電力電子器件逐漸接近其物理極限值,新型材料以更大的禁帶寬度、電子飽和漂移速度更快為特點(diǎn),制造出的器件具有優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征,在光電器件、微波器件和電力電子器件具有先天優(yōu)勢。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201702/344160.htm
透過技術(shù)成熟度曲線看新型半導(dǎo)體材料

  每年發(fā)布的技術(shù)成熟度曲線已經(jīng)成為科技和投資界一場盛事。長期致力于通過技術(shù)成熟度曲線研究,對不同領(lǐng)域的技術(shù)和趨勢做出評估,指導(dǎo)政府、科研企業(yè)、投資界在最佳時(shí)間采用這些技術(shù)或者切入該市場。該曲線按照技術(shù)觸發(fā)期、期望膨脹期、幻覺破滅谷底期、復(fù)蘇期、成熟期分為五個(gè)階段。并同時(shí)按照距離主流應(yīng)用的時(shí)間分組為“少于2年”,“2-5年”,“5-10年”和“10年以上”分為4個(gè)級別。并用這5個(gè)階段和4個(gè)級別完成一個(gè)優(yōu)先權(quán)矩陣,用于評估投資該市場的風(fēng)險(xiǎn)。


透過技術(shù)成熟度曲線看新型半導(dǎo)體材料

  2016技術(shù)成熟度曲線(來源: 2016年7月)

  新型材料主要是以砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的化合物半導(dǎo)體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應(yīng)用在技術(shù)成熟度曲線的位置,對我們研發(fā)、投資切入有著極其重要的意義。

  作為第二代半導(dǎo)體材料的代表,GaAs和傳統(tǒng)Si相比,有直接帶隙、光電特性優(yōu)越的特點(diǎn),是良好的光電器件和射頻器件的材料。GaAs器件也曾被認(rèn)為是計(jì)算機(jī)CPU芯片的理想材料,上世紀(jì)末一些公司曾有深入的研究并取得一些成果,但未能被市場充分應(yīng)用。后來隨著半導(dǎo)體照明和3G手機(jī)的普及,GaAs作為發(fā)光器件和功率器件越來越多的被應(yīng)用,并于本世紀(jì)出步入成熟期。

透過技術(shù)成熟度曲線看新型半導(dǎo)體材料

  GaAS器件技術(shù)發(fā)展 (數(shù)據(jù)來源:賽迪智庫)

  作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,寬禁帶材料SiC和GaN相對于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見光波段的發(fā)光特性、高擊穿場強(qiáng)、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢,可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過多年的發(fā)展和政府推廣,GaN基的LED已經(jīng)發(fā)展成熟,但作為微波通信器件和電力電子器件,還遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有廣泛被應(yīng)用。GaN基的微波通信器件具有優(yōu)于GaAs的高頻特性和微波特性,目前主要用于軍用領(lǐng)域,隨著未來5G的大面積鋪開,GaAS將不能滿足這種高頻特性需求,GaN的將會(huì)大規(guī)模部署于民用領(lǐng)域。作為電力電子器件,GaN相對于SiC具有相對低的成本優(yōu)勢,適合于高端的低電壓如白色家電、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域,但由于目前技術(shù)尚未成熟,成本導(dǎo)致了大規(guī)模應(yīng)用尚需時(shí)日;而SiC功率器件經(jīng)過多年的發(fā)展,SiC基SBD器件技術(shù)已經(jīng)成熟,MOSFET性能突出,SiC的IGBT已經(jīng)有多家公司發(fā)布高性能樣品,混合或全SiC功率模塊已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化,但大規(guī)模商用尚需時(shí)日。但在高端的如高速列車、風(fēng)力發(fā)電以及智能電網(wǎng)已經(jīng)部分的開始使用SiC產(chǎn)品。GaN和SiC產(chǎn)品作為功率器件和高頻器件,在逐步步入成熟期;但在其他領(lǐng)域,如固態(tài)紫外器件、激光探測等領(lǐng)域,還有更長的路要走。

透過技術(shù)成熟度曲線看新型半導(dǎo)體材料

  GaN的技術(shù)成熟度 (數(shù)據(jù)來源:IMS Research)

透過技術(shù)成熟度曲線看新型半導(dǎo)體材料

  SiC的技術(shù)成熟度 (數(shù)據(jù)來源:賽迪智庫整理)

  碳基材料中的石墨烯具有比金屬還高的電子遷移率,所以導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性都非常優(yōu)越,加之具有六邊形網(wǎng)狀的化學(xué)結(jié)構(gòu),其強(qiáng)度非常高,并且具有高比表面積和高透光性,可應(yīng)用于工程復(fù)合材料、鋰離子電池電極、透明電極、觸摸屏、傳感器、半導(dǎo)體器件等。石墨烯產(chǎn)業(yè)化仍處于發(fā)展初期,產(chǎn)業(yè)鏈劃分仍不明確。目前石墨烯在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用還處于實(shí)驗(yàn)室階段,很多國家和大公司都在布局石墨烯的研究;但在裝備及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用技術(shù)方面已經(jīng)較為成熟,例如作為涂料添加劑。石墨烯在不同的應(yīng)有領(lǐng)域也有不同的成熟度,但整體而言,石墨烯產(chǎn)業(yè)距離成熟和大規(guī)模商用仍有很長一段距離。

透過技術(shù)成熟度曲線看新型半導(dǎo)體材料

  石墨烯技術(shù)應(yīng)用成熟度曲線 (數(shù)據(jù)來源:賽迪智庫)

  Gartner每年除了技術(shù)成熟度曲線外,還會(huì)發(fā)布一個(gè)優(yōu)先權(quán)矩陣,用于比較候選技術(shù)的相對收益和成熟度,可用于確定新興技術(shù)的優(yōu)先次序以及投資回報(bào)和風(fēng)險(xiǎn)。

透過技術(shù)成熟度曲線看新型半導(dǎo)體材料

  Gartner 的優(yōu)先權(quán)矩陣

  作為下一代半導(dǎo)體材料,該領(lǐng)域吸引了許多國家研究機(jī)構(gòu)和有實(shí)力的大公司投入。歐盟主導(dǎo)的的“石墨烯旗艦計(jì)劃(the Graphene Flagship)”不僅致力于石墨烯材料的研發(fā),而且在融入“地平線2020發(fā)展計(jì)劃框架”后,進(jìn)一步推動(dòng)石墨烯及相關(guān)材料走出實(shí)驗(yàn)室,實(shí)現(xiàn)在社會(huì)中的應(yīng)用。新材料在《《中國制造2025》重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖》中是十大重點(diǎn)領(lǐng)域之一,其中先進(jìn)半導(dǎo)體材料和石墨烯材料分別被納入關(guān)鍵戰(zhàn)略材料和前沿新材料兩個(gè)發(fā)展重點(diǎn)。



關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 Gartner

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