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中國半導(dǎo)體未來兩年本土投資依舊落后外資

作者: 時間:2017-01-19 來源:新電子 收藏

  為了提高晶片自給率,中國中央及地方政府持續(xù)進(jìn)行大手筆投資,并將重點放在記憶體與晶圓代工兩大領(lǐng)域。此外,由于中國晶片需求量驚人,許多外資企業(yè)為就近爭取商機,亦持續(xù)在當(dāng)?shù)嘏d建新的晶片產(chǎn)能。在這兩大因素驅(qū)動下,到2019年時,中國的晶圓產(chǎn)能將有機會占全球晶圓產(chǎn)能的18%以上。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201701/343082.htm

  SEMI產(chǎn)業(yè)研究部資深經(jīng)理曾瑞榆表示,中國政府為了提升晶片自給率,近年來在政策及資金上對產(chǎn)業(yè)有許多扶植動作。另一方面,由于中國是全球主要市場之一,龐大的需求也促使許多外商積極在當(dāng)?shù)卦O(shè)廠投資。

  在當(dāng)?shù)貥I(yè)者及外商積極投資的情況下,當(dāng)?shù)氐?a class="contentlabel" href="http://2s4d.com/news/listbylabel/label/半導(dǎo)體">半導(dǎo)體產(chǎn)能將在未來兩三年內(nèi)出現(xiàn)明顯成長,預(yù)估到了2019年,中國的晶圓產(chǎn)能將占全球晶圓產(chǎn)能的18%以上,與臺灣、南韓的差距明顯拉近。

  值得玩味的是,雖然中國政府對當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體業(yè)者扶植有加,但若進(jìn)一步分析中國半導(dǎo)體投資金額的來源,可以發(fā)現(xiàn)中國當(dāng)?shù)貥I(yè)者的投資金額,在今明兩年仍將以明顯差距落后于外商投資金額,預(yù)估要到2019年,中國當(dāng)?shù)仄髽I(yè)的投資金額占比才會超越外商。SEMI預(yù)估,2019年將是中國DRAM廠裝機的高峰期,屆時中國業(yè)者將會有龐大的投資支出。

  但無論如何,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起,已經(jīng)是不爭的事實。更值得臺灣半導(dǎo)體同業(yè)關(guān)注的是,中國新增的龐大產(chǎn)能將如何影響整個市場的供需平衡。曾瑞榆認(rèn)為,在某些技術(shù)門檻較低的領(lǐng)域,例如28奈米制程以上的晶圓代工,以及采用5x或6x奈米制程,主要用于電視、機上盒等消費性電子產(chǎn)品的低密度DRAM,將會在中國半導(dǎo)體產(chǎn)能大增的情況下首當(dāng)其沖。

  曾瑞榆還指出,對中國半導(dǎo)體業(yè)者而言,資金不是問題,但缺乏核心技術(shù)跟人才將成為當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展最大的挑戰(zhàn),特別是在歐、美先進(jìn)國家已經(jīng)對中國資金購并自家半導(dǎo)體企業(yè)有所警戒,并劃下一道道紅線后,未來中國的半導(dǎo)體業(yè)者很可能會面臨有錢也買不到核心技術(shù)的情況。



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