大陸存儲(chǔ)器的戰(zhàn)略布局

　　長江存儲(chǔ)成立后，大陸在這個(gè)階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲(chǔ)器入手?這是個(gè)關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟(jì)不足導(dǎo)致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進(jìn)口替代當(dāng)然是原因之一，但不是全部。

　　回歸基本面來看。半導(dǎo)體之所以為高科技是因?yàn)橛心柖?，容許其不斷的制程微縮，而其經(jīng)濟(jì)效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時(shí)間里是半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)(driving technology)，也就是說DRAM的制程領(lǐng)導(dǎo)其它的半導(dǎo)體制程前進(jìn)。半導(dǎo)體的先行者AT&T、Intel都曾投入這產(chǎn)業(yè)，日本90年代的半導(dǎo)體霸業(yè)、臺灣、韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起，都與DRAM息息相關(guān)。如果不健忘的話，臺灣的DUV、CMP、12寸廠等先進(jìn)技術(shù)都是由DRAM廠率先引入。

　　在2000年初后，邏輯與NAND的制程進(jìn)展相繼超越DRAM，DRAM失去了其驅(qū)策技術(shù)的地位。邏輯制程持續(xù)往平面微縮的方向前進(jìn)，能見度到3奈米，還有3、4個(gè)世代可行;NAND往3D堆疊走，這個(gè)方向能走多遠(yuǎn)尚未可知，但是短時(shí)間內(nèi)碰不到物理極限，是比較技術(shù)面可克服的問題。邏輯的平面制程微縮與NAND的3D堆疊同時(shí)是未來半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)，大陸作為后發(fā)者選擇最近才興起、后面發(fā)展道路長的驅(qū)策技術(shù)投入，是比較合理的做法。至于DRAM，已于20奈米久滯，雖然仍有機(jī)會(huì)繼續(xù)緩慢推進(jìn)到10奈米，但其制程技術(shù)主要是針對DRAM，很難嘉惠于其它產(chǎn)品，戰(zhàn)略性比較不足。

　　所以大陸選擇3D NAND重新出發(fā)，3D的制程技術(shù)還有機(jī)會(huì)應(yīng)用到其它產(chǎn)品，譬如3D MRAM。至于研發(fā)的規(guī)模經(jīng)濟(jì)，由其所投資相應(yīng)的生產(chǎn)規(guī)模來看，如果有盈余的話，是有機(jī)會(huì)支撐持續(xù)的自主研發(fā)的。剩下來的問題是NAND的技術(shù)靈不靈?大陸NAND的技術(shù)授權(quán)引入研發(fā)已有好幾年了，以前的表現(xiàn)頗有波折，就連二維平面NAND的生產(chǎn)也稱不上順利?，F(xiàn)在要當(dāng)成主要的產(chǎn)品并結(jié)合3D制程，恐是個(gè)有點(diǎn)高風(fēng)險(xiǎn)的選擇!