紫光蓋全球最大3DNAND廠,暫時不涉足DRAM

　　大陸紫光集團(tuán)在2016年終正式宣布投資總額高達(dá)240億美元，在武漢東湖高新區(qū)興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠，為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。

　　半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)透露，紫光集團(tuán)由旗下長江存儲公司負(fù)責(zé)推動這項計畫。紫光集團(tuán)暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案，等同遼寧號航空母艦出海試航，是中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)從零突破的開端，也創(chuàng)下由國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運作的新合作模式。

　　由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資，并結(jié)合武漢、上海、矽谷及臺灣等研發(fā)人員，決定以自主研發(fā)投入生產(chǎn)3D NAND Flash設(shè)計、制造。

　　由長江存儲主導(dǎo)投資的3D NAND Flash廠，位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，占地高達(dá)1,968畝，將建立三座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash廠房，一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，第一期計畫預(yù)定2018年建成啟用投產(chǎn)，2020年全部完工，月產(chǎn)能將達(dá)到30萬片，年產(chǎn)值將超過100億美元。將成為全球最大單一NAND晶片制造廠。

　　至于后續(xù)的封測，以南茂為主要封測平臺，但力成也積極接洽爭取。

　　紫光高層并透露，長江存儲將會等到取得國際大廠授權(quán)，或自主研發(fā)技術(shù)達(dá)到成熟階段，才會跨足DRAM制造，絕不會竊取他廠的技術(shù)或?qū)＠度肷a(chǎn)。

　　紫光集團(tuán)董事長趙偉國上月30日宣布這項投資案，當(dāng)天包括：中共工信部副部長劉利華、工信部電子信息司司長刁石京、國家發(fā)改委高技術(shù)產(chǎn)業(yè)司副司長孫偉、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金公司董事長王占甫等人，與湖北省副省長許克振，武漢市委、常務(wù)副市長龍正才、東湖高新區(qū)黨工委書記胡立山等重要官員都親自出席，為中國大陸跨足建立自主存儲器技術(shù)且是歷年來單筆最大投資案做見證。

　　業(yè)界人士指出，雖然紫光集團(tuán)強(qiáng)調(diào)技術(shù)自主研發(fā)，但近期已積極對臺展開大規(guī)模挖角行動，值得有關(guān)單位和企業(yè)密切注意。