我國擬打造第三代半導體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化創(chuàng)新平臺

　　近日，彩虹藍光-北京大學協(xié)同創(chuàng)新中心簽約儀式在安徽合肥舉行。雙方將攜手打造我國第三代半導體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的重要創(chuàng)新平臺。

　　半導體作為在常溫下介于導體和絕緣體之間的材料，廣泛應用于測溫等領域。隨著社會的不斷發(fā)展，半導體不論是在科技或是經(jīng)濟方面，都具有巨大的作用。為謀求半導體產(chǎn)業(yè)高地，世界各國紛紛加快研究步伐。其中，以GaN(氮化鎵)為代表的第三代半導體材料及器件的開發(fā)是新興半導體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎，其研究開發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢態(tài)。

　　此次安徽合肥攜手中國電子，著手打造彩虹藍光—北京大學協(xié)同創(chuàng)新中心，也是積極部署第三代半導體創(chuàng)新高地，落實科技強國戰(zhàn)略，助力我國創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)發(fā)展的表現(xiàn)。

　　據(jù)悉，此次彩虹藍光-北京大學協(xié)同創(chuàng)新中心的建設將分為兩期，先期將重點放在人才引進以及實驗室硬件條件打造上，同時以電子材料和器件技術研發(fā)為重點，逐步打造我國第三代半導體研發(fā)平臺。