中芯國際宣布首批45納米芯片通過良率測試

中芯國際宣布，第一批45納米產品已成功通過良率測試，標志著其45納米工藝進入一個新的里程。

2007年12月與IBM簽訂45納米低功耗和高性能芯片技術許可協議。中芯國際第一批完整工藝流程的300毫米芯片也是在IBM的測試條件下取得了出色的良率。

中芯國際45納米項目負責人俎永熙表示，“這是我們45納米合作項目的第一個重要里程碑，為我們給客戶提供IBM的技術與中芯國際完善的芯片代工服務鋪平了道路。”

中芯國際已與一系列高端客戶簽訂了45納米代工協定，計劃于2009年開始生產。

IBM授權的45納米芯片技術可應用于3G手機、全球定位系統(tǒng)以及多媒體處理器。該技術還可以支持圖形，網絡，存儲及一般消費性裝置的生產制造。

中芯國際人士表示，這證明了專注于邏輯代工的策略是十分正確的，同時也使中芯國際能夠為設計及系統(tǒng)廠商及時提供領先的45納米芯片代工解決方案。

據介紹，45納米技術為目前最先進的芯片制程技術。