LSI SandForce揭幕SHIELD閃存糾錯(cuò)技術(shù)

LSI SandForce詳細(xì)介紹了其下一代固態(tài)硬盤(SSD)控制器內(nèi)置的全新糾錯(cuò)方法，稱為SHIELD。SandForce在在加利福尼亞州圣克拉拉召開的Flash Memory Summit峰會(huì)上披露了這項(xiàng)全新的SHIELD技術(shù)，旨在延長(zhǎng)由更小的光刻工藝構(gòu)建的NAND閃存的壽命。

像其他芯片一樣，閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)也不斷地縮小尺寸，以降低制造成本和功耗。雖然這種尺寸減小對(duì)存儲(chǔ)器的每GB成本有積極的影響，但也使得NAND更容易產(chǎn)生誤差。

LSI SandForce的開發(fā)SHIELD就是要解決這些問題，通過(guò)多層次的糾錯(cuò)。第一個(gè)糾錯(cuò)階段，是“硬”低密度奇偶校驗(yàn)，或稱HLDPC(hard low-density parity check)，適用于讀請(qǐng)求。HLDPC的低開銷，并不影響性能，但還不足以全面捕捉所有的錯(cuò)誤。

通過(guò)HLDPC的錯(cuò)誤，由五個(gè)等級(jí)的“軟”奇偶校驗(yàn)(SLDPC，soft parity checks. SLDPC)層處理。SLDPC層采用先進(jìn)的噪聲處理和信號(hào)處理進(jìn)行糾錯(cuò)，每層逐步增加更多的延遲。

SHIELD只在驅(qū)動(dòng)器認(rèn)為有必要時(shí)介入，并確定使用合適的糾錯(cuò)等級(jí)，基于一些LSI尚未披露的參數(shù)。如果錯(cuò)誤繼續(xù)通過(guò)五層SLDPC蔓延，SHIELD還有最后一層，叫做RAISE。

RAISE操作類似RAID的冗余方案，類似于目前的SandForce控制器利用的，但增加了10毫秒的延遲。LSI表示，這最后一級(jí)糾錯(cuò)只在必要時(shí)謹(jǐn)慎使用，因?yàn)樾枰~外的處理時(shí)間。

根據(jù)技術(shù)報(bào)告，新的芯片將在2013年第三季度被送往廠家進(jìn)行采樣，所以，配備SHIELD的LSI SandForce新芯片可能會(huì)在2013年底上市。