新芯/中芯/同方國芯等NAND Flash晶圓制造商現(xiàn)狀分析

　　(四)、外資晶圓制造企業(yè)在中國：Samsung與Intel

　　1. Samsung西安Flash工廠產(chǎn)能拉高至每月產(chǎn)出10萬片

　　目前以Samsung在中國的投資最為領(lǐng)先，Samsung至2015年底投入西安廠的投資總金額已超過50億美元，產(chǎn)能建置來到每月8萬片，Samsung于西安佈建最先進(jìn)的3D NAND Flash制程，預(yù)計2016年底將產(chǎn)能進(jìn)一步拉升至每月10萬片。

　　2. Intel大連廠轉(zhuǎn)為3D NAND Flash廠

　　Intel則宣布投資55億美元將原先65nm生產(chǎn)線的大連廠，改建為月產(chǎn)能3萬片的3D NAND Flash廠，預(yù)計2016年先投入15億美元，到2016第四季開始投片生產(chǎn)，月產(chǎn)能估計達(dá)1萬片。

　　Samsung和Intel在中國NAND Flash的產(chǎn)能建置，預(yù)估至2016年第四季將達(dá)到每月11萬片，約佔(zhàn)全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%，若將3D NAND有單片較高的bit產(chǎn)出納入考慮，加上中國廠商的進(jìn)展，則Made in China的NAND位元數(shù)在2017年全球佔(zhàn)比有機(jī)會達(dá)到10%。

　　(五)、TRI觀點(diǎn)

　　武漢新芯在2014年與Spansion合作，成功將NAND技術(shù)推向32nm，至2015年5月武漢新芯宣布其Spansion合作的3D NAND項(xiàng)目研發(fā)取得突破性進(jìn)展，是中國在NAND Flash產(chǎn)業(yè)進(jìn)展最快的廠商。

　　中芯在2014年9月宣布38nm NAND Flash記憶體工藝已就緒，雖不像武漢新芯在NAND Flash的成果和專注，此技術(shù)仍為后續(xù)開發(fā)更先進(jìn)的2x/1x nm和3D NAND Flash記憶體的研發(fā)和量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

　　紫光集團(tuán)在Flash相關(guān)競爭中，資金是主要優(yōu)勢，但在沒有既有營運(yùn)的支持下，如何突破生產(chǎn)技術(shù)的取得和授權(quán)，會是整個投資最關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

　　國際投資方面，Samsung和Intel在中國NAND Flash的產(chǎn)能建置，預(yù)估至2016年第四季將達(dá)每月11萬片，約占全球NAND Flash晶圓出貨量7.6%。

　　NAND Flash產(chǎn)品特性、3D NAND需求、新興市場的成長空間，以及國際半導(dǎo)體大廠在中國的投資，則為中國發(fā)展NAND Flash制造產(chǎn)業(yè)提供切入機(jī)會。