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半導(dǎo)體二極管參數(shù)常用符號及其意義

作者: 時間:2016-03-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  文章介紹了參數(shù)符號及其意義

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201603/287725.htm

  CT---勢壘電容

  Cj---結(jié)(極間)電容, 表示在兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波的總電容

  Cjv---偏壓結(jié)電容

  Co---零偏壓電容

  Cjo---零偏壓結(jié)電容

  Cjo/Cjn---結(jié)電容變化

  Cs---管殼電容或封裝電容

  Ct---總電容

  CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下,穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比

  CTC---電容溫度系數(shù)

  Cvn---標稱電容

  IF---正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流(平均值),硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流

  IF(AV)---正向平均電流

  IFM(IM)---正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下,允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。

  IH---恒定電流、維持電流。

  Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流

  IFRM---正向重復(fù)峰值電流

  IFSM---正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)

  Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流

  IF(ov)---正向過載電流

  IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流

  ID---暗電流

  IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流

  IEM---發(fā)射極峰值電流

  IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流

  IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流

  ICM---最大輸出平均電流

  IFMP---正向脈沖電流

  IP---峰點電流

  IV---谷點電流

  IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流

  IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流

  IGFM---控制極正向峰值電流

  IR(AV)---反向平均電流

  IR(In)---反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負載電路中,加反向電壓規(guī)定值時,所通過的電流;硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩(wěn)壓二極管在反向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

  IRM---反向峰值電流

  IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流

  IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流

  IRRM---反向重復(fù)峰值電流

  IRSM---反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流)

  Irp---反向恢復(fù)電流

  Iz---穩(wěn)定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數(shù)時,給定的反向電流

  Izk---穩(wěn)壓管膝點電流

  IOM---最大正向(整流)電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流

  IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流

  IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流

  iF---正向總瞬時電流

  iR---反向總瞬時電流

  ir---反向恢復(fù)電流

  Iop---工作電流

  Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流

  f---頻率

  n---電容變化指數(shù);電容比

  Q---優(yōu)值(品質(zhì)因素)

  δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移

  di/dt---通態(tài)電流臨界上升率

  dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率

  PB---承受脈沖燒毀功率

  PFT(AV)---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/p>

  PFTM---正向峰值耗散功率

  PFT---正向?qū)偹矔r耗散功率

  Pd---耗散功率

  PG---門極平均功率

  PGM---門極峰值功率

  PC---控制極平均功率或集電極耗散功率

  Pi---輸入功率

  PK---最大開關(guān)功率

  PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率

  PMP---最大漏過脈沖功率

  PMS---最大承受脈沖功率

  Po---輸出功率

  PR---反向浪涌功率

  Ptot---總耗散功率

  Pomax---最大輸出功率

  Psc---連續(xù)輸出功率

  PSM---不重復(fù)浪涌功率

  PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率

  RF(r)---正向微分電阻。在正向?qū)〞r,電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應(yīng)增加△I,則△V/△I稱微分電阻

  RBB---雙基極晶體管的基極間電阻

  RE---射頻電阻

  RL---負載電阻

  Rs(rs)----串聯(lián)電阻

  Rth----熱阻

  R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻

  Rz(ru)---動態(tài)電阻

  R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻

  r δ---衰減電阻

  r(th)---瞬態(tài)電阻

  Ta---環(huán)境溫度

  Tc---殼溫

  td---延遲時間

  tf---下降時間

  tfr---正向恢復(fù)時間

  tg---電路換向關(guān)斷時間

  tgt---門極控制極開通時間

  Tj---結(jié)溫

  Tjm---最高結(jié)溫

  ton---開通時間

  toff---關(guān)斷時間

  tr---上升時間

  trr---反向恢復(fù)時間

  ts---存儲時間

  tstg---溫度補償二極管的貯成溫度

  a---溫度系數(shù)

  λp---發(fā)光峰值波長

  △ λ---光譜半寬度

  η---單結(jié)晶體管分壓比或效率

  VB---反向峰值擊穿電壓

  Vc---整流輸入電壓

  VB2B1---基極間電壓

  VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓

  VEB---飽和壓降

  VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)

  VF---正向壓降(正向直流電壓)

  △VF---正向壓降差

  VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

  VGT---門極觸發(fā)電壓

  VGD---門極不觸發(fā)電壓

  VGFM---門極正向峰值電壓

  VGRM---門極反向峰值電壓

  VF(AV)---正向平均電壓

  Vo---交流輸入電壓

  VOM---最大輸出平均電壓

  Vop---工作電壓

  Vn---中心電壓

  Vp---峰點電壓

  VR---反向工作電壓(反向直流電壓)

  VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓)

  V(BR)---擊穿電壓

  Vth---閥電壓(門限電壓)

  VRRM---反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓)

  VRWM---反向工作峰值電壓

  V v---谷點電壓

  Vz---穩(wěn)定電壓

  △Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量

  Vs---通向電壓(信號電壓)或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓

  av---電壓溫度系數(shù)

  Vk---膝點電壓(穩(wěn)流二極管)

  VL ---極限電壓



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