美國(guó)發(fā)明輝鉬憶阻器 或?qū)⒏淖兾磥?lái)半導(dǎo)體領(lǐng)域方向

　　據(jù)美國(guó)科學(xué)學(xué)術(shù)網(wǎng)3日?qǐng)?bào)道，美科學(xué)家最近使用輝鉬制成了輝鉬基柔性憶阻器，可以用其制造低功耗的超高速存儲(chǔ)與計(jì)算芯片，科學(xué)學(xué)術(shù)網(wǎng)認(rèn)為這一發(fā)明很可能讓半導(dǎo)體芯片世界從“硅時(shí)代”跨越到“輝鉬時(shí)代”。