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物聯(lián)網(wǎng)WiFi芯片“爆發(fā)式”增長的原因

作者: 時間:2016-01-12 來源:象外科技 收藏
編者按:未來,WiFi模塊將會承擔越來越多的工作,這就是原因。

  在市場的持續(xù)刺激下,2015年國內應用于芯片迎來了第一次“爆發(fā)式”增長。據(jù)相關統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2014年芯片出貨量情況并不樂觀,僅有1000萬顆左右,到2015年時,芯片基本成為許多智能硬件產(chǎn)品的標配,總出貨量突破3000萬顆,并且伴隨著智能硬件的起量,預計2016年出貨量將進一步提升到1億顆。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201601/285647.htm



  因此,記者走訪了眾多WiFi芯片原廠和方案商,從解決方案、核心技術、未來趨勢三個方面,分析WiFi芯片的演變發(fā)展,以及探索其起量背后的原因。

  從多芯片到單芯片發(fā)展,國內外WiFi芯片廠家的博弈

  實際上,在手機、平板等產(chǎn)品中,獨立WiFi芯片只有連接和傳輸信號的作用,信號處理和傳輸協(xié)議TCP/IP必須放置在性能強大的AP端,才能形成完整的通信架構。然而,物聯(lián)網(wǎng)領域的大量智能硬件,如水壺、電飯煲、燈具、豆?jié){機等產(chǎn)品,原本就沒有強大的AP,所以獨立WiFi芯片當然是“然并卵”了。

  于是,這種需求首先催生出了一批整體方案解決公司,如慶科、漢楓、博聯(lián)、有人科技等企業(yè),都是以單芯片WiFi外掛MCU,再將通信協(xié)議TCP/IP寫入MCU的方式,給傳統(tǒng)企業(yè)智能化升級提供服務?!霸谙喈旈L的一段時間內,單芯片WiFi外掛MCU的方案,幾乎統(tǒng)治了物聯(lián)網(wǎng)的無線連接市場。不過,由于這種方案成本高,而傳統(tǒng)家電行業(yè)的生產(chǎn)成本控制幾乎到了極致,若加入WiFi方案,就會造成額外的負擔,并不利于物聯(lián)網(wǎng)的普及?!卑残趴蒀EO趙同陽說道。

  因此,在物聯(lián)網(wǎng)龐大需求的驅動下,國際芯片設計大廠開始將MCU與WiFi集成在一起,減少芯片面積,同時降低芯片方案價格(現(xiàn)在模塊價格9元左右)。最典型的代表,如高通atheros4004、TI的CC3200、Realtek8711等。另一方面,國內的芯片設計企業(yè)又怎甘落后,MTK推出MT7681、南方硅谷6060、樂鑫8266等芯片,處理性能并不比國際大廠芯片差,并且價格更具優(yōu)勢,服務也更全面,實現(xiàn)快速的推向物聯(lián)網(wǎng)應用市場。



  可以預見,在如此多芯片設計廠家進入的情況下,2016年的WiFi芯片市場將會變得更加“熱鬧”,大廠之間的博弈和競爭會空前激烈,同時也會吸引更多的芯片廠家持續(xù)跟進。

  WiFi芯片核心技術三要素:系統(tǒng)、功耗、射頻

  眾多芯片設計企業(yè)的加入,豐富了市面上的WiFi芯片種類,同時也讓市場一定程度上“良莠不齊”,所以客戶應該如何選擇合適的芯片呢?“WiFi芯片的設計難點,同樣也是衡量WiFi芯片好壞的關鍵因素,是在于系統(tǒng)穩(wěn)定且易于開發(fā)、芯片功耗低、射頻連接性能穩(wěn)定這三個方面?!甭?lián)盛德市場總監(jiān)李少輝告訴記者。

  “每個公司的WiFi芯片軟件系統(tǒng)都是基于RTOS進行開發(fā),在標準的TCP/IP協(xié)議下都有一套自己的實現(xiàn)方式。這也就要求企業(yè)在硬件設計能力之外,必須有較強的軟件系統(tǒng)設計能力,提供性能穩(wěn)定的系統(tǒng)、系列的API和完整封裝的SDK,以方便客戶在此基礎之上開發(fā)產(chǎn)品。射頻大部分都是模擬電路,首先對工程師的技術要求就非常高,電路中的電壓電流只要出現(xiàn)少許偏差,WiFi就可能出現(xiàn)連接不穩(wěn)定的情況,其次考慮到復雜的環(huán)境因素,對芯片靈敏度和接受/發(fā)射功率也有很高的要求?!备咄▍^(qū)域銷售經(jīng)理郎良說道。

  在大部分的物聯(lián)網(wǎng)應用中,例如:無人機、機器人、WiFi音箱等,都對整機功耗有較高的要求。郎良繼續(xù)說道:“家電設備對功耗的要求很高,尤其是出口時,對整機功耗要求非常嚴格,而設備本身能降低的功耗幾乎做到極致,所以WiFi芯片的功耗不能成為額外的負擔。高通的Atheros4004采用了三種低功耗技術。

  其一是協(xié)議優(yōu)化+固件設計,讓芯片有四種工作模式,避免一直處于滿負荷狀態(tài)。例如:正常工作狀態(tài)下,電流300mA;淺睡眠狀態(tài)下,電流130uA,喚醒2ms;深度睡眠狀態(tài)下,電流10uA,喚醒35mA;幾乎關閉狀態(tài)下,電流5uA,喚醒40ms。


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