混戰(zhàn)整合期 國(guó)產(chǎn)LED芯片將迎三國(guó)立體競(jìng)爭(zhēng)
“供過(guò)于求”、“利用率不足”、“增量不增利”等行業(yè)亂象之下,正孕育著新一輪的市場(chǎng)變革。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/198491.htm國(guó)內(nèi)企業(yè)希望能夠用1~2年的時(shí)間,讓現(xiàn)在的LED芯片發(fā)光效率再提高30%~50%,發(fā)光亮度達(dá)到200lm以上。
國(guó)產(chǎn)LED芯片滲透率提高
國(guó)內(nèi)芯片廠商在市場(chǎng)上憑借較高的性價(jià)比一步步提升了封裝廠對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片的接受度。
從2009年起,受?chē)?guó)內(nèi)各地方政府政策強(qiáng)勁支持以及巨大的顯示、背光和照明市場(chǎng)的推動(dòng),中國(guó)LED外延芯片行業(yè)飛速發(fā)展。主要生產(chǎn)設(shè)備MOCVD機(jī)臺(tái)的數(shù)量迅猛增長(zhǎng),從2009年的130臺(tái)一躍增長(zhǎng)至2012年年底的917臺(tái)。
2013年,由于照明市場(chǎng)的快速發(fā)展,帶動(dòng)LED產(chǎn)業(yè)上、中、下游產(chǎn)能發(fā)揮,一定程度上減緩了自2011年下半年出現(xiàn)的產(chǎn)能過(guò)?,F(xiàn)象,行業(yè)開(kāi)始回暖。上游外延芯片領(lǐng)域產(chǎn)能利用率也由2012年的不足三成提高到了目前的平均接近六成。市場(chǎng)方面,由于未來(lái)幾年背光市場(chǎng)逐漸趨于飽和,需求將呈現(xiàn)平穩(wěn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),下一個(gè)接棒的市場(chǎng)增長(zhǎng)點(diǎn)將會(huì)來(lái)自照明市場(chǎng)。自2011年開(kāi)始,國(guó)內(nèi)照明市場(chǎng)開(kāi)始逐漸起量,而到2013年,照明市場(chǎng)需求開(kāi)始大幅增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年,照明市場(chǎng)將成為上游外延芯片廠商受益最大的細(xì)分市場(chǎng)。
在照明市場(chǎng)可期的大環(huán)境下,國(guó)內(nèi)芯片廠商也通過(guò)不斷引進(jìn)技術(shù)、人才以及加大研發(fā)投入力度,使芯片制造技術(shù)水平大幅提升,并在市場(chǎng)上憑借較高的性價(jià)比一步步提升了封裝廠對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片的接受度,從中攫取到越來(lái)越多的市場(chǎng)份額。比如說(shuō)在室內(nèi)照明和商業(yè)照明領(lǐng)域,國(guó)產(chǎn)芯片的替代速度就非???。近期有國(guó)內(nèi)封裝大廠負(fù)責(zé)人稱:“這兩年,很多大公司沒(méi)有指定用誰(shuí)的芯片,只要是芯片質(zhì)量好,都可以接受。我記得三四年前,80%的芯片都采購(gòu)中國(guó)臺(tái)灣的或者是洋品牌,現(xiàn)在采購(gòu)芯片,90%都開(kāi)始采購(gòu)中國(guó)大陸芯片。”甚至出現(xiàn)了客戶主動(dòng)要求采用大陸某品牌芯片的情形。
“增量不增利”之怪現(xiàn)象
今年設(shè)備市場(chǎng)需求增長(zhǎng)穩(wěn)定,但由于價(jià)格持續(xù)下降,導(dǎo)致設(shè)備整體銷售額無(wú)明顯增加。
受益于全球經(jīng)濟(jì)整體復(fù)蘇以及終端照明市場(chǎng)的拉動(dòng),2013年前三季度,國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)整體經(jīng)營(yíng)狀況較去年同期明顯改觀。但由于受下游應(yīng)用市場(chǎng)價(jià)格下滑大趨勢(shì)和行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇現(xiàn)狀的影響,上游芯片廠商反而陷入毛利率下滑——“增收不增利”的尷尬困境。分析個(gè)中原因,上游芯片價(jià)格“跌跌不休”主要是由于前幾年過(guò)度投資引發(fā)產(chǎn)能急劇擴(kuò)張,而市場(chǎng)又一時(shí)無(wú)法完全消化引起的。供過(guò)于求所最終導(dǎo)致的高庫(kù)存是造成芯片大幅跌價(jià)的根本原因。鑒于市場(chǎng)價(jià)格壓力,廠商不得不以較低的價(jià)格拋售此前以高成本產(chǎn)出的芯片,從而影響了企業(yè)的毛利率水平,最終導(dǎo)致“增收不增利”。不僅是上游的芯片段,微利甚至是無(wú)利現(xiàn)象亦在下游照明以及更上游的設(shè)備業(yè)蔓延。以北方微電子公司為例,雖然整體上設(shè)備市場(chǎng)需求增長(zhǎng)穩(wěn)定,公司設(shè)備銷售量增長(zhǎng)較快,但由于價(jià)格持續(xù)下降,導(dǎo)致設(shè)備整體銷售額與上年同期相當(dāng)。
“供過(guò)于求”、“利用率不足”、“增量不增利”等行業(yè)亂象之下,正孕育著新一輪的市場(chǎng)變革。今年以來(lái),業(yè)內(nèi)頻頻出現(xiàn)擴(kuò)產(chǎn)、并購(gòu)甚至倒閉的事件,上游芯片行業(yè)開(kāi)始呈現(xiàn)收攏集中的態(tài)勢(shì),未來(lái)中國(guó)的LED局面將由“十國(guó)混戰(zhàn)”變?yōu)?ldquo;三國(guó)鼎立”。產(chǎn)業(yè)整合的結(jié)果是行業(yè)資源越來(lái)越向優(yōu)勢(shì)企業(yè)集中,在LED上游外延芯片領(lǐng)域,未來(lái)將會(huì)形成以幾家龍頭企業(yè)為首的市場(chǎng)格局。目前的產(chǎn)品同質(zhì)化嚴(yán)重,但長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,企業(yè)以“價(jià)格戰(zhàn)”獲取市場(chǎng)只是短期行為。近期企業(yè)間整合并購(gòu)事件頻出的現(xiàn)象,也是產(chǎn)業(yè)發(fā)展到一定階段即需要淘汰落后產(chǎn)能、落后技術(shù)和落后管理的必經(jīng)過(guò)程。
整合期過(guò)后是立體競(jìng)爭(zhēng)
未來(lái)客戶需求將不再是原先平面的、單一的,而將演變?yōu)槎嗑S的、立體的需求。
從各大媒體近期發(fā)布的2013年LED上游上市公司第三季報(bào)來(lái)看,主流芯片廠商處境已較去年同期有較大改善,芯片價(jià)格降幅也已收窄,部分企業(yè)芯片售價(jià)還可以達(dá)到與上季度持平的水平。有國(guó)內(nèi)知名芯片企業(yè)負(fù)責(zé)人認(rèn)為,接下來(lái)芯片價(jià)格既不會(huì)上漲也不會(huì)有太多下降。芯片產(chǎn)業(yè)馬上就要進(jìn)入一個(gè)產(chǎn)品性能比拼的時(shí)代。
業(yè)內(nèi)的企業(yè)家不乏“價(jià)格戰(zhàn)”后是“技術(shù)戰(zhàn)”的論斷,他們認(rèn)為,現(xiàn)在的LED芯片,還遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有達(dá)到理論的發(fā)光效果。在中國(guó)很多企業(yè),包括外企,都在做一些更深層次的技術(shù)研發(fā)工作。國(guó)內(nèi)企業(yè)希望能夠用1~2年的時(shí)間,讓現(xiàn)在的LED芯片發(fā)光效率再提高30%~50%,發(fā)光亮度達(dá)到200lm以上。他們同樣也認(rèn)為,技術(shù)戰(zhàn)是真正拼企業(yè)實(shí)力的時(shí)候,因?yàn)檠邪l(fā)需要大量投入。在這個(gè)階段,很多企業(yè)如果跟不上,就只能是寄希望于下游其他替代產(chǎn)品的產(chǎn)生來(lái)刺激需求。
事實(shí)上,經(jīng)過(guò)幾年來(lái)市場(chǎng)的跌宕起伏,產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)最終沉淀下來(lái)的企業(yè)也會(huì)變得更加成熟和理性,這種態(tài)度對(duì)照明市場(chǎng)尤為寶貴,畢竟能經(jīng)得起時(shí)間考驗(yàn)、性能可靠的產(chǎn)品才能最終贏得客戶。再追溯到產(chǎn)業(yè)鏈的上游,雖然降價(jià)對(duì)于客戶的吸引力效果仍然直接,但降價(jià)已不再是讓下游客戶買(mǎi)單的唯一理由了。除了價(jià)格,性能及可靠性甚至品牌等都是客戶考量的重要因素。不難看出,未來(lái)客戶需求將不再是原先平面的、單一的,而將演變?yōu)槎嗑S的、立體的需求。作為企業(yè)自身來(lái)講,尋找最大讓利和最好服務(wù)兩者兼具的平衡點(diǎn)才是最能打動(dòng)客戶的方法。或許我們可以認(rèn)為,國(guó)產(chǎn)LED芯片后價(jià)格戰(zhàn)時(shí)代的市場(chǎng),正緩緩轉(zhuǎn)身,迎面而來(lái)。
技術(shù)升級(jí)需提前布局
一代器件即會(huì)要求一代工藝、一代設(shè)備,設(shè)備企業(yè)要以領(lǐng)先一步的工藝解決方案為客戶帶來(lái)長(zhǎng)遠(yuǎn)價(jià)值。
在半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域,造成國(guó)產(chǎn)設(shè)備占有率相對(duì)偏低的主要原因是中國(guó)芯片制造技術(shù)達(dá)不到世界領(lǐng)先,所以設(shè)備選型也以國(guó)外成熟工藝和設(shè)備為主。但對(duì)于蓬勃發(fā)展的中國(guó)LED產(chǎn)業(yè),經(jīng)歷第一階段的“無(wú)序競(jìng)爭(zhēng)”后,步入整合優(yōu)化階段,會(huì)有更多的資源和潛力來(lái)實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新。
為順應(yīng)這一行業(yè)發(fā)展形勢(shì),北方微電子公司提前研發(fā)了下一代設(shè)備并與客戶進(jìn)行合作驗(yàn)證。比如目前正在研發(fā)的一個(gè)項(xiàng)目是采用先進(jìn)的Sputter技術(shù)制備優(yōu)質(zhì)的AlN緩沖層——即在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)一層AlN薄膜作為緩沖層。增加AlN緩沖層不僅可以更好地與藍(lán)寶石進(jìn)行晶格匹配,更可有效減少下一步外延生長(zhǎng)時(shí)間、降低原材料消耗,最終達(dá)到提高產(chǎn)能并降低成本的目的。除此之外,AlN的導(dǎo)熱性也遠(yuǎn)好于藍(lán)寶石,可有效改善LED芯片的散熱性,從而提升LED器件性能的可靠性。如果設(shè)備硬件設(shè)計(jì)合理,可有效解決AlN緩沖層沉積均勻性和重復(fù)性的問(wèn)題,但要實(shí)現(xiàn)與后道工藝的匹配,則需要與外延芯片廠商進(jìn)行合作工藝開(kāi)發(fā)。目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)有數(shù)家主流的外延芯片廠商積極與北方微電子配合進(jìn)行AlN緩沖層配套工藝的開(kāi)發(fā),并以此作為未來(lái)差異化競(jìng)爭(zhēng)的技術(shù)儲(chǔ)備之一。
LED產(chǎn)業(yè)不斷向前發(fā)展,對(duì)上、中游的外延芯片制造和封裝技術(shù)也提出了更高的要求。一代器件即會(huì)要求一代工藝、一代設(shè)備,設(shè)備企業(yè)不僅要滿足客戶需求,更要超越客戶需求,以領(lǐng)先一步的工藝解決方案為客戶帶來(lái)技術(shù)更先進(jìn)和成本更低的長(zhǎng)遠(yuǎn)價(jià)值。未來(lái)5年設(shè)備企業(yè)的目標(biāo)應(yīng)該是成為引領(lǐng)國(guó)際LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級(jí)的裝備和工藝解決方案提供商。
評(píng)論