利用Cadence PCB SI分析特性阻抗變化因素

4.1.2　用圖表表示介電質(zhì)的厚度D1和特性阻抗Z0的關(guān)系

　　介電質(zhì)厚度D1在0.05～0.15mm范圍內(nèi)，以0.01mm間隔使之變化了11點(diǎn)的時(shí)候，特性阻抗Z0的變化。

　　從這個(gè)圖表可以看出，介電質(zhì)厚度D1變大，特性阻抗Z0變大。因?yàn)閰⒖济媾c導(dǎo)體的距離變大，導(dǎo)體和參考面間的電容C變小。

4.1.3　用圖表表示讓導(dǎo)線的厚度T和跟特性阻抗Z0的關(guān)系

　　導(dǎo)線的厚度T在0.03～0.04mm范圍內(nèi)，以0.001mm間隔變化了11點(diǎn)的時(shí)候，特性阻抗Z0的變化。

　　從這個(gè)圖表可以看出，導(dǎo)線的厚度T變大，特性阻抗Z0一點(diǎn)點(diǎn)變小。導(dǎo)線的厚度T變大的話，與導(dǎo)體間的電容C和導(dǎo)體的電感L也變大，不過(guò)，對(duì)特性阻抗Z0的影響因?yàn)槭请娙軨變大。

4.1.4　用圖表表示跟介電常數(shù)ε1和特性阻抗Z0的關(guān)系

　　介電常數(shù)ε1在3.5～4.5范圍內(nèi)，以0.1間隔變化了11點(diǎn)的時(shí)候，特性阻抗Z0的變化。

　　從這個(gè)圖表可以看出，介電常數(shù)ε1變大，特性阻抗Z0變小。因?yàn)榻殡姵?shù)ε1變大，導(dǎo)體和參考面間的電容C變大。

4.1.5　用圖表表示介電常數(shù)ε2和特性阻抗Z0的關(guān)系

　　介電常數(shù)ε2在1～5范圍內(nèi)，以0.5間隔變化了11點(diǎn)的時(shí)候，特性阻抗Z0的變化。

　　從這個(gè)圖表可以看出，介電常數(shù)ε2變大，特性阻抗Z0變小。因?yàn)榻殡姵?shù)ε2變大，導(dǎo)體和參考面間的電容C變大。

4.2　差分阻抗和各參數(shù)的關(guān)系

　　下圖作為標(biāo)準(zhǔn)的層構(gòu)成的時(shí)候，計(jì)算只做一個(gè)參數(shù)變化的時(shí)候，差分阻抗的變化。

4.2.1　線間距S和差動(dòng)阻抗Zdiff的關(guān)系

　　線間距S在0.12～0.22mm范圍內(nèi)，以0.01mm間隔變化了11點(diǎn)的時(shí)候，差分阻抗Zdiff的變化。

　　從這個(gè)圖表可以，線間距S變大，差分阻抗Zdiff變大。因?yàn)榫€間距S變大，差分線路間的電容C變小。

4.2.2、導(dǎo)線的厚度T和跟差分阻抗Zdiff的關(guān)系

　　導(dǎo)線的厚度T在0.03～0.04mm范圍內(nèi)，以0.001mm間隔變化了11點(diǎn)的時(shí)候，差分阻抗Zdiff的變化。

　　從這個(gè)圖表可以看出，導(dǎo)線的厚度T變大，差分阻抗Zdiff變小。導(dǎo)線的厚度T變大，導(dǎo)體與參考面間和差分線路間的電容C及導(dǎo)體的電感L也變大，對(duì)差分阻抗Zdiff的影響是因?yàn)槭菍?dǎo)體和參考面間和差分線路間的電容C變大。同時(shí)，與單線比的話，差分線路間產(chǎn)生的電容，也使差分阻抗Zdiff也變大。

4.2.3　介電常數(shù)ε2和差分阻抗Zdiff的關(guān)系

　　介電常數(shù)ε2在1～5范圍內(nèi)，以0.5間隔使之變化了11點(diǎn)的時(shí)候，差分阻抗Zdiff的變化。

　　從這個(gè)圖表可以看出，介電常數(shù)ε2變大，差分阻抗Zdiff變小。因?yàn)榻殡姵?shù)ε2變大，導(dǎo)體與參考面間和差分線路間的電容C變大。同時(shí)，與單線比的話，差分線路間上產(chǎn)生的電容，也使差分阻抗Zdiff變大。