TD-LTE芯片技術趨勢 持續(xù)性模式 頻段競賽

　　2012年TD-LTE(TimeDivisionLongTermEvolution)成為通訊產(chǎn)業(yè)熱門議題，對此DIGITIMESResearch觀察TD-LTE晶片的技術、業(yè)者、市場等發(fā)展，并推估未來發(fā)展走向。

　　經(jīng)1年發(fā)展，DIGITIMESResearch再次觀察比對，發(fā)現(xiàn)TD-LTE晶片業(yè)者已有不同的市場斬獲，單模TD-LTE晶片的主要業(yè)者為Altair，多模TD-LTE晶片的主要業(yè)者為高通(Qualcomm)。

　　除市場斬獲外，亦有業(yè)者發(fā)展轉(zhuǎn)淡，如意法易立信(ST-Ericsson)，或幾乎沒有新訊息動向，如威睿(VIATelecom)，另有業(yè)者持續(xù)追趕業(yè)界需求，如聯(lián)芯(Leadcore)將推出5模晶片，重郵(CYIT)將推出TD-LTE系統(tǒng)單晶片(SystemofaChip;SoC)。

　　展望未來，TD-LTE晶片的走向，仍會以支援更多模式、更多頻段為訴求，2012年已強調(diào)5模10頻的支援規(guī)格，2013年則進一步到5模12頻、5模13頻的主張。雖然模式支援上已達極致的5模，但仍有支援標準的區(qū)別，如支援LTECat.(Category)3或Cat.4，日后亦需要支援Cat.5及LTE-A(LongTermEvolutionAdvanced)。