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解讀太陽能逆變器設計的最新趨勢

作者: 時間:2012-05-10 來源:網(wǎng)絡 收藏

由于能源成本日益攀升,發(fā)電正逐漸成為一項可行的替代能源。德國政府通過立法,推出各種激勵手段積極鼓勵可再生能源的使用(如《再生能源法》“Energieeinspeisungsgesetz”),受此驅(qū)使,至2007年,該國一直是全球最大的市場。而現(xiàn)在,其它國家已超過德國,例 如西班牙在2008年的新建發(fā)電廠數(shù)量居全球之冠,而意大利、法國和美國的已安裝太陽能發(fā)電容量預計將呈大幅增長。多種激勵措施推動需求走高,繼而 刺激產(chǎn)能增長。但由于最近全球經(jīng)濟危機的爆發(fā)和2008年西班牙對太陽能市場的激勵措施突然撤銷,致使太陽能芯片供大于求,導致價格下跌40%-50%。 這使得光伏技術更接近所謂的“平價電價”(grid parity)目標,亦即太陽能發(fā)電成本與目前電能市價相當。預計在2015年,德國將可實現(xiàn)均一電價。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/177307.htm

太陽能模塊產(chǎn)生一個直流電壓,太陽能再把這一直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能,然后接入電網(wǎng)。本文將探討太陽能。

其中一個重要是采用更高的功率?,F(xiàn)在,峰值發(fā)電量超過100kW的太陽能發(fā)電廠越來越普遍,而較小規(guī)模的發(fā)電系統(tǒng)也存在這種:平均功率從5kWp 提高到10kWp。

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升壓+H-橋拓撲是太陽能極為常用的拓撲之一,是一種兩級非隔離拓撲。其第一級是升壓級,用于把模塊的可變輸出電壓(例如100V – 500V)升高到更大的中間電壓,后者必須大于實際峰值主線電壓(如230V x sqrt(2),或>325V)。該升壓級還有一個重要作用,就是為了實現(xiàn)效率最大化,太陽能模塊必須運作產(chǎn)生盡可能大的功率,而太陽能模塊的功率 曲線可通過輸出電流乘以輸出電壓數(shù)值獲得。功率特性中有一個最大點,被稱為“最大功率點”或MPP,而這精確位置會隨著模塊的類型、溫度和日照陰影等因素 而變化。

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利用名為“最大功率點跟蹤”或MPPT的軟件技術,輔以定制化算法,逆變器的輸入級便可跟蹤這個最大功率點。

逆變器的第二級把恒定的中間電壓轉(zhuǎn)換為50Hz的交流電壓,再饋入供電主線。這個輸出與供電主線的相位及頻率同步。這一級由于與供電主線連接,故即便在故 障狀態(tài)下也必須達到一定的安全標準。除此之外,還有一個與低壓指令 (Low Voltage Directive) 相關的VDE 0126-1-1新草案,該提案要求太陽能逆變器在電能質(zhì)量下降的情況下也應有源支持主供電網(wǎng),以盡量降低更具普遍性的停電風險。在現(xiàn)有法規(guī)限制之下,是 可以一個在停電時能夠?qū)崟r關斷逆變器,以實現(xiàn)自我保護。不過,當太陽能逆變器變得普及,并在總發(fā)電量中占有可觀的份額時,如果一遇上停電便直接關斷連 接的太陽能逆變器的話,是可能造成更大規(guī)模的主電網(wǎng)停電的,因為這樣逆變器便會一個接一個關斷,并迅速減少電網(wǎng)中的電能。因此,新的指令草案旨在提高主干 配電網(wǎng)的穩(wěn)定性和電能質(zhì)量,而代價僅僅是使逆變器的輸出級稍微復雜一點。

太陽能逆變器必須可靠,以盡量減小維護和停機檢修的成本。這些逆變器還必須具有高效,以盡量增大發(fā)電量。太陽能逆變器人員還需付出相當?shù)呐?,以盡可 能地提高效率。

有很多方法能夠提高升壓逆變器的效率。由于升壓逆變器可在連續(xù)傳導模式或邊界傳導模式(CCM 或 BCM)下工作,這就衍生出不同的優(yōu)化方案。在CCM模式中,損耗的一大主因是升壓二極管的反向恢復電流;在這種情況下,一般使用碳化硅二極管或飛兆半導 體的Stealth 二極管來解決。太陽能逆變器更常采用的是BCM模式,而盡管對這類功率級通常建議選擇CCM模式,但采用BCM模式的原因在于BCM模式中二極管的正向電 壓要低得多。而且,BCM模式也具有高得多的EMI濾波器和升壓電感紋波電流。這時,良好的高頻電感設計是一解決方案。

采用兩個交錯式升壓級來取代一個升壓級乃一種新方法。這樣一來,流經(jīng)每個電感和每個開關的電流便能夠減半。另外,采用交錯式技術,一級上的紋波電流 可抵償另一級的紋波電流,因而可在很寬工作輸入范圍上去除輸入紋波電流。如FAN9612交錯式BCM PFC一類的控制完全能夠輕松滿足太陽能升壓級的要求。

逆變器中的升壓開關有兩個選擇:IGBT或 MOSFET。對于需要600V以上額定開關電壓的輸入級,常常會采用1200V IGBT快速開關,如FGL40N120AND。對于額定電壓只需600V/650V的輸入級,則選用MOSFET。

輸出H-橋級的設計人員一直以來都采用600V/650V MOSFET,但因為新的草案規(guī)范要求輸出級以四象限工作,于是在這一領域重新點燃了人們對IGBT的興趣。MOSFET雖然內(nèi)置有體二極管,但相比 IGBT中采用的組合封裝二極管,其開關性能很差。新型的場截止IGBT能夠以10V/ns的速度轉(zhuǎn)換電壓,較之以往的舊式產(chǎn)品導通損耗大大改善。這種集 成式二極管具有出色的軟恢復性能,有助于降低500A/us以上的高di/dt造成的EMI。對于16kHz-25kHz開關,建議采用IGBT,例如飛 兆半導體的 FGH60N60UFD。

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太陽能逆變器設計的另一個趨勢是擴大輸入電壓范圍,這會導致相同功率級下輸入電流的減小,或相同輸入電流下功率級的提高。輸入電壓比較高時,需要使用額定 電壓更高(1200V范圍內(nèi))的IGBT,從而產(chǎn)生更大的損耗。解決這一問題的一個方法是采用三電平逆變器。

采用兩個串聯(lián)的電解電容可把高輸入電壓一分為二,將中間點與零線 (neutral line)連接,這時就可以再采用600V開關了。三電平逆變器可在三個電平間進行轉(zhuǎn)換:+Vbus、0V 和 –Vbus。這方案除了比1200V開關構(gòu)建的解決方案更有效之外,三電平逆變器還有一個優(yōu)勢,就是輸出電感大為減小。

對于整功率因數(shù),三電平逆變器的功能可解釋如下。在正半波Q5始終導通期間,Q6 和 Q4一直關斷。Q3 和 D3構(gòu)成一個降壓轉(zhuǎn)換器,產(chǎn)生輸出正弦波電壓。如果只需要整功率因數(shù),Q5 和 Q6 可設計為 50Hz開關,采用速度極慢Vce (飽和電壓)極低的IGBT,比如FGH30N60LSD。若需要較低的功率因數(shù),Q5 和 Q6必須工作在開關頻率下一小段時間。Q3 和 Q4的二極管應該是快速軟恢復二極管。Q3 和 Q4可安排為快速恢復MOSFET,比如FGL100N50F ,或者是快速 IGBT,如FGH60N60SFD。

基于上述分析,三電平逆變器拓撲可獲得98%以上的效率,因此可能成為5kWp以上功率級非隔離逆變器的主流結(jié)構(gòu)。



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