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實(shí)現(xiàn)SiC器件與先進(jìn)電機(jī)、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配，并促使逆變器更加“智能化”和“傻瓜化”

為各行業(yè)提供所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布：公司已與南京航空航天大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院電氣工程系達(dá)成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將攜手建立聯(lián)合電驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn)室，共同研發(fā)針對(duì)碳化硅（SiC）功率電子應(yīng)用的全方位優(yōu)化、匹配先進(jìn)電機(jī)的電控系統(tǒng)，以充分發(fā)揮SiC器件的高頻、高壓、高溫、高效率、高功率密度等性能優(yōu)勢(shì)，更好地滿足工業(yè)、航空和新能源汽車應(yīng)用的廣泛需求。先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用 (如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。CISSOID與南京航空航天大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院電
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隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長，光儲(chǔ)充一體化市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)生態(tài)正迅速發(fā)展，逐漸成為替代傳統(tǒng)硅基功率器件的有力市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者。本文將聚焦于SiC材料的卓越屬性，探討安森美（onsemi）系列先進(jìn)的封裝技術(shù)為加速SiC導(dǎo)入新能源領(lǐng)域應(yīng)用提供的參考范例。光儲(chǔ)充應(yīng)用市場(chǎng)需求持續(xù)上漲從逆變器到充電器，SiC在新能源產(chǎn)業(yè)鏈中的全方位革命眾所周知，SiC材料具有卓越的高溫性能、高效率、高頻開關(guān)能力以及耐高溫和高可靠性等，為功率電子
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三菱電機(jī)從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史，從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化，從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓，三菱電機(jī)一直致力于開發(fā)和應(yīng)用高性能、高可靠性且高性價(jià)比的SiC器件，本篇章帶你了解三菱電機(jī)SiC器件發(fā)展史。三菱電機(jī)從上世紀(jì)90年代已經(jīng)開始啟動(dòng)SiC相關(guān)的研發(fā)工作。最初階段，SiC晶體的品質(zhì)并不理想，適合SiC的器件結(jié)構(gòu)和制造工藝仍處于探索階段，但研發(fā)人員堅(jiān)信SiC MOSFET是能夠最大限度發(fā)揮SiC材料優(yōu)異物理性能的器件，因此一直致力于相關(guān)研發(fā)。三菱電機(jī)于2003年開發(fā)出耐壓2
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不間斷電源 (UPS) 和其他基于電池的儲(chǔ)能系統(tǒng)可以確保住宅、電信設(shè)施、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和其他關(guān)鍵設(shè)備的持續(xù)供電。憑借先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，這些系統(tǒng)能夠確?？煽抗╇姡峁V波功能，并在發(fā)生短期電網(wǎng)斷電時(shí)保障供電。對(duì)于更長時(shí)間的停電，這些系統(tǒng)可以提供足夠的時(shí)間讓關(guān)鍵設(shè)備安全地關(guān)閉。 UPS的設(shè)計(jì)要項(xiàng)一文中，我們帶大家了解了UPS的使用用例與具體產(chǎn)品規(guī)格，本文將從SiC器件的角度出發(fā)，幫助您設(shè)計(jì) UPS 或其他電池儲(chǔ)能系統(tǒng)。SiC正在推動(dòng)革命碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品，即所謂的寬禁帶產(chǎn)品，可以
關(guān)鍵字：安森美 SiC器件不間斷電源

SiC的應(yīng)用始于2000年，最早在PFC中采用了SiC JBS二極管。隨后是在光伏行業(yè)中，開始使用SiC二極管和FET。但是，最近在EV車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器相關(guān)領(lǐng)域應(yīng)用的激增，顯著推動(dòng)了SiC需求的增長。電動(dòng)汽車逆變器、650V設(shè)備的新興應(yīng)用以及服務(wù)器電源和5G電信整流器等的應(yīng)用有望推動(dòng)SiC需求的快速增長。本文介紹了這些SiC器件相對(duì)于現(xiàn)有Si技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。SiC器件的優(yōu)點(diǎn)與IGBT相比，使用SiC FET的優(yōu)勢(shì)已得到充分證明。較寬的4H-SiC帶隙允許形成電壓阻擋層，理想情況下，其電阻要比相應(yīng)的
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SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講...
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