基于溫度補償的無運放低壓帶隙基準源設計
2 改進的低電壓帶隙基準負載結構
由式(5)可得,要得到在一定溫度范圍內與溫度零相關的基準電流I(T0),電阻溫度系數TCR必須滿足:

通過調整電阻的阻值可達到上式要求,但在這種情況下,式(2)中的基準電壓V(T0)就一定不與溫度零相關,為了產生在一定溫度范圍內與溫度無關的基準電壓Iref,現引入了一種新的負載結構,圖1中的負載電阻R4可改成如圖2中R2的結構,基準電壓Vref可以表示為:

由上可知,滿足式(7)時,可以得到在一定溫度范圍內與溫度零相關的基準電流I(T0),要得到在一定溫度范圍內與溫度無關的基準電壓Vref,必須滿足:

由于電壓Vbe的溫度系數室溫下為-1.5 mV/K,所以要選擇具有正溫度系數的電阻以滿足式(9)的要求。在CMOS工藝中的擴散電阻和阱電阻阻值是隨著溫度的升高而增大的,符合電路設計要求。本文引用地址:http://2s4d.com/article/160474.htm
評論