擁有快速寫入和超高集成性能的下一代數據存儲解決方案

全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion日前宣布計劃開發(fā)下一代數據存儲產品系列，MirrorBit® ORNAND™架構?；赟paNSiON專有電荷捕獲技術的新型MirrorBit ORNAND2™架構將在連接于NAND存儲器陣列中采用類似SONOS的45nm存儲單元，具有快速寫入和高封裝密度的特點－－將NAND技術的性能和成本優(yōu)勢與300mm晶圓的成本結構優(yōu)勢發(fā)揮到最佳。

基于新型架構的產品將主要面向集成閃存市場中的數據存儲應用領域；在這種市場中，客戶注重的是差異化、高價值的解決方案。新的架構將通過45nm系列解決方案擴大現有MirrorBit ORNAND產品系列；與Spansion 65nm的MirrorBit ORNAND產品相比，不但能將掩膜(mask layer)層的大小減少25%，其品質也遠勝于浮動門NAND解決方案。MirrorBit ORNAND2產品預計將于2009年初投放市場。 　　新的架構基于Spansion專有MirrorBit技術DD目前，采用MirrorBit技術的解決方案總銷售額達20億美元，占整個NOR閃存市場的22%。通過采用通用的技術平臺和利用40nm以下的MirrorBit技術具有的可擴展性優(yōu)勢，在同一晶圓廠中可以實現MirrorBit NOR、ORNAND和ORNAND2產品的高效生產。

Spansion研發(fā)事業(yè)部執(zhí)行副總裁Lou Parrillo博士表示：“Spansion是唯一一家成功實現電荷捕獲存儲技術大量應用的公司。憑借我們專有的先進的MirrorBit技術、300mm晶圓生產能力以及預計與NAND相當的性能，我們能夠進一步擴大已有產品組合，并加快MirrorBit技術的發(fā)展步伐。”

Spansion正利用在其專有MirrorBit技術應用的過程中所積累的經驗來為MirrorBit ORNAND2技術開發(fā)一種專有的類似SONOS的存儲單元。不同于此前業(yè)界生產商試圖開發(fā)商用化SONOS存儲單元而未獲成功的情況，Spansion相信，通過架構性的革新和已獲證明的生產技術相結合的獨特方法，一定能實現最佳性能并加快投產的速度。

目標分析（Objective Analysis）總監(jiān)Jim Handy表示：“隨著技術在伸縮曲線上的日漸走低，傳統的浮動門閃存在45nm及以下工藝中正逐漸失去競爭力。許多公司都提出將電荷捕獲技術作為一種解決辦法。Spansion的電荷捕獲技術投產已達四年之久，使公司相較競爭對手而言占據先機。而Spansion基于類似于SONOS的存儲單元結構的下一代MirrorBit ORNAND2架構必將進一步發(fā)揮這種領先優(yōu)勢，擴大公司在目前由NAND獨霸天下的各個領域中的市場機會。”