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Intel 18A制程技術細節(jié)曝光:性能與密度全面提升
- 據(jù)報道,在2025年英特爾代工大會及VLSI研討會上,英特爾進一步公布了其最新一代Intel 18A制程的技術細節(jié)。Intel 18A采用了RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管(GAA)技術,相比FinFET技術實現(xiàn)了重大突破。這一技術不僅提升了柵極靜電性能,還顯著降低了寄生電容,提高了設計靈活性。同時,Intel 18A率先引入了PowerVia背面供電技術,該技術將單元密度和利用率提升了5%-10%,并顯著降低了供電電阻,使ISO功率性能提升4%。與Intel 3工藝節(jié)點相比,Intel 18A的每瓦性能
- 關鍵字: Intel 18A 制程技術 性能 密度
提高傳感器性能的簡單方法有哪些?
- 雖然通常不可能提高傳感器的實際性能,但通過適當?shù)倪x擇、系統(tǒng)設計和集成,在系統(tǒng)級別提高傳感器性能是非??赡艿摹?捎糜趥鞲衅餍阅軆?yōu)化的工具包括選擇、放置、作和信號調節(jié)/處理。首先選擇具有適當范圍、分辨率、靈敏度、精度、響應時間和其他性能規(guī)格的傳感器。在設計過程中,盡量減少/管理噪聲和干擾源。到達現(xiàn)場后,定期校準可能很重要。傳感器性能支柱與優(yōu)化傳感器系統(tǒng)作相關的挑戰(zhàn)可能很復雜,但可以分為四個主要考慮因素:選擇、放置、作和數(shù)據(jù)處理(圖 1)。優(yōu)化每個性能支柱可以通過回答一系列五個問題來設想:目標是什么?為什么測量
- 關鍵字: 傳感器 性能
英偉達H20現(xiàn)身基準測試:內核數(shù)量相比H100減少41%,性能降低28%
- 去年英偉達為了適應美國政府對尖端人工智能(AI)芯片新的出口管制,推出中國特供版的H20計算卡,基于Hopper架構打造,取代了以往銷售的A800和H800。雖然性能有不小的下降,但是可以滿足部分客戶的使用需求,而英偉達也獲得了更多的收益。至于H20和全球范圍內熱賣的H100之間規(guī)格有多大差異,具體性能差多少,英偉達并沒有透露。據(jù)Wccftech報道,H20現(xiàn)身Geekbench 6數(shù)據(jù)庫,顯示其配備了78組SM。搭載GH100芯片完整的配置為144組SM,不過實際的H100產(chǎn)品中沒有全部打開,其
- 關鍵字: 英偉達 H20 基準測試 內核 性能
代工價格高達14萬元 臺積電3nm真實性能大縮水:僅比5nm好了5%

- 臺積電當前量產(chǎn)最先進的工藝是5nm及改進版的4nm,3nm工藝因為種種原因一直推遲,9月份就說量產(chǎn)了,又說年底量產(chǎn),不過這個月就算量產(chǎn),真正放量也要到明年了。根據(jù)臺積電之前的消息,3nm節(jié)點上至少有5代衍生版工藝,分別是N3、N3P、N3S、N3X及N3E,其中N3工藝是最早量產(chǎn)的,但是這版工藝遭到客戶棄用,很大可能就放棄了,明年直接上N3E工藝。對比N5工藝,N3功耗可降低約25-30%,性能可提升10-15%,晶體管密度提升約70%。N3E在N3的基礎上提升性能、降低功耗、擴大應用范圍,對比N5同等性
- 關鍵字: 臺積電 3nm 性能
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