液化空氣集團電子氣業(yè)務加強高介電常數(shù)鋯基前驅體的專利保護

　　液化空氣集團電子氣業(yè)務線近日宣布，其應用于半導體制造的前驅體ZyALD?已獲得中國專利局授予的相關專利，從而使中國成為了繼韓國、新加坡、中國臺灣以及部分歐洲國家之后又一獲得該項專利的國家。此外，相關專利的申請工作在其他國家及地區(qū)也預期順利。ZyALD?及其它類似分子應用于高介電常數(shù)沉積鍍膜，該工藝目前已在全球范圍內獲得11項專利，另有13項專利正在申請中。

　　ZyALD?(三(二甲胺基)環(huán)戊二烯鋯)是上述已獲專利的系列分子中一種重要的鋯前驅體(功能分子)。該分子能夠在半導體制造工藝中，實現(xiàn)高溫條件下原子層沉積方法(ALD)沉積鋯基介電層。ZyALD?于2006年首次引入工業(yè)應用，目前已成為世界范圍內用于生產(chǎn)動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的主流高介電常數(shù)前驅體，替代了在高溫環(huán)境下無法實現(xiàn)相應功能的傳統(tǒng)分子。ZyALD?也可應用于后道工藝“金屬-絕緣體-金屬”結構(BEOL MIM Structure)以及嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(e-DRAM)中的高介電常數(shù)層。

　　憑借優(yōu)異的物理化學屬性以及較高的揮發(fā)性、熱穩(wěn)定性和沉積速率，ZyALD?已成為簡便易用的替代產(chǎn)品，并且通過拓展制造工藝的工藝平臺，幫助終端用戶實現(xiàn)從傳統(tǒng)化學品到ZyALD?的完美過渡。

　　ZyALD由液化空氣集團的ALOHA?制造中心生產(chǎn)，工廠分別位于美國加州、法國沙隆以及日本筑波，為全球大客戶基地提供服務。面臨尖端半導體制造工藝的挑戰(zhàn)，ALOHA?產(chǎn)品線的各種前驅體提升了微電子制造中膜材料的機電性能，并加速了各種新興應用。ALOHA?產(chǎn)品線可為45納米及以下的器件制造提供所需的尖端CVD和ALD前驅體，涵蓋從噸級別的硅前驅體和高介電常數(shù)材料到克級別的實驗研發(fā)產(chǎn)品的需求。ALOHA?前驅體優(yōu)異的綜合實力包含超高純鋼瓶、由液化空氣集團BALAZS?世界級分析技術所支持的極其嚴格的技術標準、以及授權客戶使用液空前驅體相關的知識產(chǎn)權。