Microsemi公司推出工業(yè)級碳化硅功率模塊系列產(chǎn)品
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)日前宣布,推出新一代工業(yè)溫度碳化硅(SiC)標準功率模塊。新產(chǎn)品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開關電源、馬達驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應用。該功率模塊系列還擴展了溫度范圍,以滿足下一代功率轉換系統(tǒng)對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/141457.htmSiC技術比硅材料提供更高的擊穿電場強度和更好的熱傳導性。從而提高性能參數(shù),包括零反向恢復、不受溫度影響的特性、更高的工作電壓和更高的工作溫度,使性能、效率和可靠性邁向新水平。
美高森美的新SiC功率模塊具有多種電路拓撲結構,可集成到小型封裝。新模塊產(chǎn)品的主體使用氮化鋁(AlN)基板,與散熱片隔離,從而提高了冷卻系統(tǒng)的熱傳導性能。其他功能還包括高速開關、低開關損耗、低輸入電容、低驅(qū)動要求、小型化以及最大程度降低寄生電感。
“我們應用在功率半導體集成和封裝領域的廣泛的專業(yè)技術,提供下一代碳化硅功率模塊系列,這些器件具有出色的性能、可靠性和綜合質(zhì)量水平。”美高森美功率模塊產(chǎn)品集團總經(jīng)理Philippe Dupin表示,“我們的新模塊還使得設計人員能夠縮減系統(tǒng)尺寸和重量,同時降低總體系統(tǒng)成本。”
關于新的SiC模塊
美高森美新的工業(yè)溫度SiC功率模塊具有多種電路拓撲,并且集成在較小的封裝內(nèi)。新模塊產(chǎn)品系列中的大多數(shù)產(chǎn)品使用氮化鋁(aluminum nitride,AIN)襯底,來實現(xiàn)與散熱器的隔離,從而改善了至散熱系統(tǒng)的熱傳遞。
其它特性包括高速開關、低開關損耗、低輸入電容、低驅(qū)動要求、小尺寸和最小寄生電感,能夠?qū)崿F(xiàn)高頻率、高性能、高密度和節(jié)能的電力系統(tǒng)。
新工業(yè)溫度模塊系列包括以下參數(shù)和器件:
• 1200V升壓斬波電路(boost chopper),額定電流為50至100A (器件編號:APT100MC120JCU2和APT50MC120JCU2)
• 1200V相臂(phase leg) 結構,額定電流為40至200A (器件編號:APTMC120AM08CD3AG、APTMC120AM20CT1AG和APTMC120AM55CT1AG)
• 600V中性點箝位結構,專用于太陽能或UPS應用的三級逆變器,額定電流為20至160A (器件編號:APTMC60TLM14CAG、APTMC60TLM20CT3AG、APTMC60TLM55CT3AG和APTMC60TL11CT3AG)
• 中性點箝位結構,600V/1200V混合電壓,額定電流為20至50A (器件編號:APTMC120HRM40CT3G和APTMC120HR11CT3G)
美高森美的SiC產(chǎn)品組合包括分立和模塊封裝的肖特基二極管,以及標準和定制配置的采用SiC肖特基二極管和IGBT或MOSFET晶體管組合的功率模塊。
供貨
美高森美以短交貨周期提供工業(yè)溫度SiC標準功率模塊樣品。要了解更多的信息,請聯(lián)絡當?shù)孛栏呱拦句N售代表。
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