飛兆40V PowerTrenchMOSFET功率控制更強(qiáng)、效率更高
—— 該器件具有最低的導(dǎo)通電阻和較低的柵極電荷可降低功耗
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
汽車動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench® MOSFET可幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/139775.htm
FDB9403利用飛兆半導(dǎo)體的屏蔽柵極技術(shù)，改進(jìn)了電阻并降低了電容。 該器件的RDS(ON) 比其最直接競爭對手低20%，并具有較低的Qg值，可降低功耗并最終提高總體效率。 FDB9403 MOSFET作為用于電流控制的基本開關(guān)，可有效控制電能而不將其浪費，因此非常適合電動助力轉(zhuǎn)向、懸架控制和傳動系管理等應(yīng)用。
特色及優(yōu)勢：
- RDS(ON)典型值 = 1m?(VGS = 10V，ID = 80A時)，可降低功耗以實現(xiàn) 更高的效率
- Qg(tot)典型值= 164nC(VGS = 10V，ID = 80A時)，可降低功耗以實現(xiàn)更高的效率
- UIS能力
- 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且通過AEC Q101認(rèn)證
封裝和定價信息(1000片起訂，價格單位：美元)
按請求提供樣品。交貨期：收到訂單后8-12周內(nèi)
- 采用D2PAK TO-263AB封裝，FDB9403的定價為2.48美元
飛兆半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體器件和模塊封裝方面的專業(yè)知識，與廣泛的測試、仿真和優(yōu)質(zhì)生產(chǎn)相結(jié)合，使其能提供在要求最嚴(yán)苛的汽車環(huán)境中表現(xiàn)可靠的產(chǎn)品。 憑借全球范圍內(nèi)的設(shè)計、制造、裝配和測試設(shè)施，設(shè)施齊全的飛兆半導(dǎo)體能滿足汽車制造商對于質(zhì)量、可靠性和供貨的需求。
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