IM Flash向客戶送樣最新20納米制程8GB NAND

　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲器合資公司IM Flash，日前領先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲器，這也使得智能型手機和平板計算機里的儲存裝置可以進一步縮小。

　　IM Flash于美國時間14日宣布，該公司正向客戶送樣20納米制程8GB NAND快閃存儲器，并預計在2011下半年導入量產(chǎn)。此外，IM Flash也預計將在2011下半年開始送樣16GB NAND快閃存儲器。

　　報導指出，相較于競爭對手包括三星電子、海力士和東芝、新帝等廠仍在量產(chǎn)25納米制程快閃存儲器，英特爾和美光已經(jīng)先一步跑在前面導入20納米制程投產(chǎn)。

　　據(jù)悉，IM Flash已經(jīng)量產(chǎn)25納米制程達1年半的時間，如今正向20納米制程轉(zhuǎn)換。英特爾和美光表示，利用20納米制程投產(chǎn)后，將可望打造比1枚郵票體積還要小的128GB固態(tài)硬盤(SSD)。

　　美光NAND解決方案事業(yè)群營銷主管Kevin Kilbuck表示，持續(xù)進行NAND Flash制程微細化，才能激發(fā)出新的終端應用裝置出現(xiàn)。如今，該公司可以擠進更多的存儲器到現(xiàn)有的終端裝置里，或是在較低的成本下使用相同容量的存儲器。

　　利用最新20納米制程所打造出來的8GB NAND快閃存儲器，可以縮小占用電路版空間3成到4成，使得平板計算機或智能型手機可以利用多出來的空間加入其它的功能，例如加大電池的尺寸，拉長電池續(xù)航力，或是加入另一顆處理器好處理嶄新的功能。