安森美半導(dǎo)體在下一代SoC中應(yīng)用高壓標(biāo)準(zhǔn)單元技術(shù)

　　基于這些因素，從事這類項(xiàng)目的任何人都應(yīng)當(dāng)與在高壓應(yīng)用方面擁有豐富經(jīng)驗(yàn)、并能夠提供針對此目的優(yōu)化的創(chuàng)新型工藝技術(shù)的半導(dǎo)體供應(yīng)商合作。不采取這種舉措可能產(chǎn)生的結(jié)果是生產(chǎn)的系統(tǒng)會不符合性能及長遠(yuǎn)性方面的目標(biāo)。

　　安森美半導(dǎo)體開發(fā)的第三代I3TXX智能功率技術(shù)是一種使用0.35 µm BCD技術(shù)的高壓平臺，針對的是前沿的汽車、軍事、醫(yī)療及工業(yè)應(yīng)用要求的高壓混合信號系統(tǒng)設(shè)計(jì)。這平臺包含3.3 V門氧化物，且這平臺的某些技術(shù)變異版本中還具備雙門18 V能力。這平臺還提供不同的隔離機(jī)制，包括P溝道沉降(P-sinker)、深阱及工作電壓達(dá)62 V的深溝槽隔離。這技術(shù)系列提供豐富選擇的基本IP。結(jié)溫度范圍為-40℃至150℃，最高可承受175℃。

　　安森美半導(dǎo)體的ONC18工藝是一種低成本、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的0.18 µm CMOS技術(shù)，現(xiàn)在支持高達(dá)100 V電壓工作。這具有完整特性的工藝包含1.8 V/3.3 V雙門I/O、額定值及大容值的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容、電阻及六層金屬構(gòu)造。這工藝的結(jié)溫度范圍為-55℃至125℃, 最高可承受150℃。ONC18工藝非常適合用于開發(fā)結(jié)合了數(shù)字與混合信號功能的低功率、高集成度電路，能夠創(chuàng)建包含高達(dá)1,000萬邏輯門的ASIC。它能支持高達(dá)1.1 Mb同步單端口及512 kb雙端口SRAM、或1.1 Mb高密度、低泄漏過孔(VIA)可編程只讀存儲器(ROM)的存儲器能力。還提供EEPROM用于模擬微調(diào)或高達(dá)8kB的程序或數(shù)據(jù)存儲器。

　　通過使用基于這類模塊化技術(shù)平臺的方法，有可能充分利用原打算用于較低壓工藝的現(xiàn)有IP，因而將工程設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)減至最低。這表示能在同一塊芯片上應(yīng)用高壓及低功率功能，而其適宜性獲得了證實(shí)。

　　本文介紹的高壓標(biāo)準(zhǔn)單元方法使工程團(tuán)隊(duì)能夠降低使用較高電壓的設(shè)計(jì)的相關(guān)風(fēng)險。因此，所建議設(shè)計(jì)的可靠性、性能基準(zhǔn)及特性范圍將符合期望，并證實(shí)所作投資的恰當(dāng)性。