Intel鎂光生產出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片

　　Intel與鎂光公司已經成功生產出基于25nm制程技術的3位元型NAND閃存芯片產品，目前他們已經將有關的產品樣品送往部分客戶手中進行評估，預計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。

　　這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設計，一個存儲單元可存儲3位數據，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。

　　這款產品的面積要比現有Intel與鎂光公司推出的25nm制程MLC芯片小20%強，而后者則是現有市面上銷售的8GB容量閃存芯片中面積最小的產品。這次推出的25nm制程TLC 64Gb(8GB)NAND閃存芯片的核心面積僅131平方毫米,芯片采用業(yè)內標準的TSOP型封裝設計。