半橋拓撲結構高端MOSFET驅動方案選擇：變壓器還是硅芯片？
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總結：
本文引用地址：http://2s4d.com/article/106961.htm對于需要高能效的應用而言，采用軟開關技術的半橋拓撲結構越來越受設計人員青睞。但要驅動半橋拓撲結構中的高端MOSFET，設計人員面臨著是選擇變壓器或是硅芯片等不同驅動方案的選擇。本文分析了不同驅動方案的設計考慮因素、相關問題及解決之道，并從多個角度對比了這兩種驅動方案。盡管精心設計的話，這兩種驅動方案都可以良好工作，但安森美半導體建議選擇諸如NCP5181這樣的硅芯片驅動方案，在簡化布線及設計的同時，也可避免變壓器驅動方案的諸多問題，幫助設計人員縮短設計周期，加快產(chǎn)品上市進程。
參考資料：
1、半橋驅動器：采用變壓器還是全硅驅動，安森美半導體培訓教程， www.onsemi.com/pub/Collateral/HB%20-%20Half-Bridge%20Drivers,%20a%20Transformer-Based%20Solution%20or%20an%20All-Silicon%20Drive%20-%20bilingual.rev0.pdf
2、NCP5181數(shù)據(jù)手冊，http://www.onsemi.com/pub/Collateral/NCP5181-D.PDF
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