鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 明年將轉(zhuǎn)向更高級別制程

　　鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯片，并將于明年轉(zhuǎn)向更高級別的制程。他并表示鎂光也計劃開發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術(shù)，以取代現(xiàn)有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術(shù)。

　　Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規(guī)范。目前開放式NAND閃存接口工作組( Open NAND Flash Interface (ONFI) industry working group)正在編制EZ-NAND規(guī)范標準，預(yù)計該標準的編制工作將于今年年中完成。

　　EZ-NAND規(guī)范的重要特性是要求NAND閃存芯片內(nèi)建ECC糾錯功能，這樣設(shè)計者便不需要頻繁改進閃存控制器以便滿足ECC糾錯的需求。