臺(tái)積電美國(guó)3nm晶圓廠完工，2027年量產(chǎn)在即

臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州的3nm晶圓廠建設(shè)已于近期順利完工，預(yù)計(jì)將在2027年開(kāi)始量產(chǎn)。根據(jù)《工商時(shí)報(bào)》的報(bào)道，臺(tái)積電此舉旨在滿足日益增長(zhǎng)的客戶需求，尤其是在人工智能（AI）領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求推動(dòng)下，亞利桑那州的第二座晶圓廠（P2）建設(shè)進(jìn)度明顯提前。預(yù)計(jì)該廠的設(shè)備將在明年9月前搬入，首批晶圓將于2027年出貨。

臺(tái)積電的快速建設(shè)進(jìn)度有助于滿足客戶需求。供應(yīng)鏈分析人士指出，臺(tái)積電的加速建設(shè)將為相關(guān)的臺(tái)灣地區(qū)廠務(wù)工程公司帶來(lái)長(zhǎng)期的盈利改善機(jī)會(huì)。此外，隨著新廠的建設(shè)，特殊氣體和化學(xué)品的供應(yīng)商也將陸續(xù)接到訂單。

然而，值得注意的是，臺(tái)積電在美國(guó)的兩座晶圓廠并不配備先進(jìn)的封裝設(shè)施，因此生產(chǎn)的4nm和3nm芯片仍需運(yùn)回臺(tái)灣進(jìn)行封裝。盡管臺(tái)積電已計(jì)劃在美國(guó)建設(shè)兩座先進(jìn)封裝廠，但相關(guān)評(píng)估和建設(shè)工作仍需時(shí)間，預(yù)計(jì)第一座封裝廠最快將在明年第三季度動(dòng)工。

臺(tái)積電在美國(guó)的投資計(jì)劃總額達(dá)到650億美元，涵蓋三座晶圓廠和多座封裝設(shè)施。當(dāng)前，第一座4nm晶圓廠已開(kāi)始量產(chǎn)，而更先進(jìn)的2nm晶圓廠預(yù)計(jì)將在2029至2030年間投入生產(chǎn)。臺(tái)積電還計(jì)劃在未來(lái)增加1000億美元的投資，以進(jìn)一步擴(kuò)展其在美國(guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)能力。