挑戰(zhàn)5nm單次曝光！ ASML攜蔡司研發(fā)新一代Hyper NA EUV設(shè)備

ASML已著手研發(fā)下一代先進(jìn)光刻機(jī)設(shè)備，為未來十年的芯片產(chǎn)業(yè)做準(zhǔn)備。該公司技術(shù)執(zhí)行副總裁Jos Benschop對外透露，ASML及獨(dú)家光學(xué)合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）一道啟動了5納米分辨率的Hyper NA光刻機(jī)開發(fā)，并補(bǔ)充這項(xiàng)技術(shù)將足以滿足2035年及之后的產(chǎn)業(yè)需求。

ASML最近才開始出貨業(yè)界最先進(jìn)設(shè)備，已可達(dá)到單次曝光8納米分辨率。相較之下，較舊設(shè)備需多次曝光才能達(dá)到類似分辨率。

Benschop指出，公司正與蔡司進(jìn)行設(shè)計(jì)研究，目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)數(shù)值孔徑（NA）0.7或以上的系統(tǒng)，目前尚未設(shè)定具體上市時(shí)間表。

數(shù)值孔徑（NA）是衡量光學(xué)系統(tǒng)收集與聚焦光線能力的關(guān)鍵指標(biāo)，也是決定電路圖樣能否精細(xì)投影到晶圓上的關(guān)鍵因素。 當(dāng)NA越大、光波長越短，印刷分辨率就越高。

目前標(biāo)準(zhǔn)EUV設(shè)備的NA為0.33，最新一代High NA EUV則提升至0.55。 而ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）邁進(jìn)，需要重新設(shè)計(jì)幾個關(guān)鍵系統(tǒng)。

ASML目前已向英特爾、臺積電交付首批High NA EUV設(shè)備，不過 Benschop表示，大規(guī)模采用仍需時(shí)間，產(chǎn)業(yè)界必須先驗(yàn)證新系統(tǒng)的性能，并開發(fā)配套材料與工具，才能全面啟動，「這次新設(shè)備的導(dǎo)入與歷年來推出的創(chuàng)新工具情況類似，通常要幾年后才會進(jìn)入大量產(chǎn)出階段。 客戶需要學(xué)習(xí)如何操作，但我相信它很快會被用于高產(chǎn)能的芯片制造流程中“。