事關芯片！我國成功開發(fā)這一新技術

近日，由西湖大學孵化的西湖儀器（杭州）技術有限公司（以下簡稱西湖儀器）近日成功實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底自動化激光剝離，解決了12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片難題。

與傳統(tǒng)的硅材料相比，碳化硅具有更寬的禁帶能隙，以及更高的熔點、電子遷移率和熱導率。其能夠在高溫、高電壓條件下穩(wěn)定工作，已成為新能源和半導體產(chǎn)業(yè)迭代升級的關鍵材料，在電動汽車、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、無線通信等領域擁有廣闊應用前景。

“目前，碳化硅襯底材料成本居高不下，嚴重阻礙了碳化硅器件的大規(guī)模應用?！蔽骱髮W工學院講席教授仇旻介紹，碳化硅行業(yè)降本增效的重要途徑之一，是制造更大尺寸的碳化硅襯底材料。與6英寸和8英寸碳化硅襯底相比，12英寸碳化硅襯底材料能夠進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，在同等生產(chǎn)條件下，顯著提升芯片產(chǎn)量，同時降低單位芯片制造成本。

此前，西湖儀器已率先推出8英寸導電型碳化硅襯底激光剝離設備。為響應最新市場需求，西湖儀器迅速推出超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術，將超快激光加工技術應用于碳化硅襯底加工行業(yè)，完成了相關設備和集成系統(tǒng)的開發(fā)。

“超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術能夠?qū)崿F(xiàn)對碳化硅晶錠的精準定位、均勻加工、連續(xù)剝離?！背饡F介紹，一方面，該技術實現(xiàn)了晶錠減薄、激光加工、襯底剝離等過程的自動化；另一方面，與傳統(tǒng)切割技術相比，該技術可實現(xiàn)激光剝離過程無材料損耗，原料損耗大幅下降。

不僅如此，仇旻還提到，超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術可大幅縮短襯底出片時間，適用于未來超大尺寸碳化硅襯底的規(guī)?；慨a(chǎn)，有助于加速超大尺寸碳化硅襯底技術的研發(fā)迭代，進一步促進行業(yè)降本增效。