投資25.4億美元，俄羅斯計劃2030年實現(xiàn)70%芯片設(shè)備及材料國產(chǎn)化

10月3日消息，據(jù)俄羅斯媒體CNews報道，俄羅斯政府已撥款超過 2400 億盧布（25.4 億美元）支持國產(chǎn)半導(dǎo)體制造所需設(shè)備、CAD工具及原材料研發(fā)，目標(biāo)是到 2030 年實現(xiàn)對于國外約70%的半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國產(chǎn)替代。

報道稱，已經(jīng)有 50 多個組織參與了該計劃的實施。目前已經(jīng)啟動了41個研發(fā)項目，2024年將啟動26個，2025-2026年將啟動另外43個，共計110個項目。

該計劃由俄羅斯工業(yè)部、貿(mào)易部、俄羅斯國際科學(xué)技術(shù)中心 （ISTC） MIET 電子工程部制定，涉及半導(dǎo)體制造的多個環(huán)節(jié)：技術(shù)設(shè)備、材料和化學(xué)品、計算機輔助設(shè)計 （CAD） 系統(tǒng)。俄羅斯工業(yè)和貿(mào)易部也在完成一項單獨計劃的工作，以加速實現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備關(guān)鍵部件的本地化生產(chǎn)。

目前俄羅斯芯片制造商 Angstrem、Mikron 等所能夠生產(chǎn)的最先進的制程工藝依然停留在65nm或90nm等成熟節(jié)點，并且大量依賴于國外的半導(dǎo)體制造設(shè)備，尤其是光刻設(shè)備。

據(jù)ISTC MIET負(fù)責(zé)人雅科夫·別特連科 （Yakov Petrenko） 介紹，俄羅斯目前至少使用了400種不同型號的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其中只有 12% 可以在當(dāng)?shù)厣a(chǎn)。

自2022年2月俄烏沖突爆發(fā)后，美國、歐盟、日本、新加坡、韓國、中國臺灣等地就相繼出臺了針對俄羅斯的半導(dǎo)體的出口管制，這些措施不僅使俄羅斯進口相關(guān)芯片變得困難，同時相關(guān)微電子制造設(shè)備的進口更是難上加難。

報道稱，這些限制措施使得俄羅斯關(guān)鍵設(shè)備獲取成本提升了 40% – 50%（例如，在印刷電路板上安裝組件、組裝終端設(shè)備、制成品的測試和質(zhì)量控制的設(shè)備），因為必須通過走私途徑才能進入到俄羅斯。

因此，為了降低成本并減少對于國外半導(dǎo)體制造設(shè)備的的依賴，俄羅斯工業(yè)部和貿(mào)易部以及 MIET制定了上述國產(chǎn)替代計劃，重點是為微電子生產(chǎn)所需的大約 70% 的設(shè)備和原材料開發(fā)國內(nèi)替代品。

作為該計劃的一部分，俄羅斯計劃開20 條不同技術(shù)路線的國產(chǎn)設(shè)備，包括從 180nm 到 28nm 的微電子學(xué)、微波電子學(xué)、光子學(xué)、電力電子學(xué)、光掩模生產(chǎn)、電子元件和模塊的組裝、無源電子學(xué)的生產(chǎn)等。

雖然該計劃的戰(zhàn)略目標(biāo)看起來很明確（到 2030 年以 25.4 億美元的價格實現(xiàn) 70% 的芯片制造設(shè)備和原材料的國產(chǎn)化），但具體的細(xì)節(jié)卻相當(dāng)模糊。

具體來說，俄羅斯計劃在2026年底實現(xiàn)利用國產(chǎn)設(shè)備來生長單晶、切割硅晶圓、研磨和拋光、洗滌和干燥、應(yīng)用元素并控制輸出產(chǎn)品（X 射線衍射儀、缺陷控制）。同時，在2026年底完成用于 350nm 和 130nm 工藝技術(shù)的光刻設(shè)備和用于 150nm 生產(chǎn)節(jié)點的電子束光刻設(shè)備的開發(fā)，并能夠掌握外延法（即在單個襯底上生長多層半導(dǎo)體材料的過程）工藝。

更遠(yuǎn)期的目標(biāo)是，到2030年，俄羅斯能夠自主生產(chǎn)65nm或90nm制程的國產(chǎn)光刻系統(tǒng)，這將顯著提高該國生產(chǎn)微電子產(chǎn)品的能力，但仍將落后于目前全球行業(yè)領(lǐng)先水平25至28 年。

值得一提的是，在今年5月，在CIPR 2024會議期間，俄羅斯聯(lián)邦工業(yè)和貿(mào)易部副部長瓦西里·什帕克（Vasily Shpak）告訴塔斯社記者稱，俄羅斯首臺國產(chǎn)光刻機已經(jīng)制造完成，并正在澤列諾格勒進行測試，該設(shè)備可確保生產(chǎn)350nm的芯片。

在預(yù)算分配方面，2400 億盧布（25.4 億美元）的資金支出將分布在各種國家計劃當(dāng)中，包括“電子和無線電電子工業(yè)的發(fā)展”計劃和“俄羅斯的科學(xué)和技術(shù)發(fā)展”計劃。

其中，2023-2025 年將有超過 1000 億盧布的“俄羅斯科學(xué)技術(shù)發(fā)展”得到補貼，這筆錢將用于開發(fā)微電子、微波、電力和光電子生產(chǎn)設(shè)備以及各種專用材料的研發(fā)工作。2023-2030年，俄羅斯 CAD 系統(tǒng)開發(fā)路線圖的研發(fā) （R&D） 投入將達到 546 億盧布。

雖然俄羅斯的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化目標(biāo)很龐大，但是相對于龐大且復(fù)雜的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來說，25.4 億美元資金投入顯然是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。

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編輯：芯智訊-浪客劍