又一臺(tái)天價(jià)光刻機(jī)，即將出貨！

據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA EUV（極紫外）光刻機(jī)設(shè)備，這或許標(biāo)志著這家三星電子在先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域取得重大進(jìn)步。

ASML獨(dú)家提供的極紫外光刻機(jī)對(duì)于2nm以下更先進(jìn)制程的工藝至關(guān)重要，三星此前曾設(shè)定了到2027年實(shí)現(xiàn)1.4nm工藝商業(yè)化的目標(biāo)，行業(yè)人士表示，三星將加快其1nm芯片商業(yè)化的開發(fā)工作。

據(jù)悉，每臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)售價(jià)約3.5億美元（約合人民幣25億元），遠(yuǎn)高于ASML標(biāo)準(zhǔn)EUV系列的1.8億~2億美元。High NA系統(tǒng)具有8mm分辨率，晶體管密度是Low NA系統(tǒng)的三倍。具體而言，High NA EUV技術(shù)超越了現(xiàn)有的EUV系統(tǒng)，能夠創(chuàng)建更精細(xì)的電路設(shè)計(jì)，使其適用于運(yùn)行在5nm以下的芯片，如CPU和GPU等系統(tǒng)半導(dǎo)體。

雖然標(biāo)準(zhǔn)EUV對(duì)5nm及以下工藝有效，但High NA EUV可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)2nm以下的電路尺寸，從而提高性能并減少曝光次數(shù)，從而降低生產(chǎn)成本。比利時(shí)微電子研究中心IMEC與ASML合作的最新研究表明，一次High NA EUV曝光可以產(chǎn)生完整的邏輯和存儲(chǔ)電路。

據(jù)報(bào)道，三星首款High NA EUV設(shè)備——ASML的EXE:5000型號(hào)預(yù)計(jì)將于2025年初上市。鑒于半導(dǎo)體設(shè)備安裝的復(fù)雜性（通常涉及漫長的測試階段），EXE:5000預(yù)計(jì)將于2025年第二季度投入運(yùn)營。

據(jù)悉，在全球范圍內(nèi)，3納米以下制程的競爭者目前僅有臺(tái)積電、英特爾和三星三家晶圓代工廠。他們之間的競爭正在升溫，加速競相獲得2nm以下工藝的High NA EUV設(shè)備。英特爾于2023年12月率先獲得該設(shè)備，臺(tái)積電于2024年第三季度緊隨其后。